XNRUSEMI XR10N15

XR10N15 — N-канальный MOSFET с канавочной структурой и высокой плотностью ячеек, монолитное исполнение для маломощных ключевых схем и переключателей нагрузки.

Основные параметры: напряжение сток–исток Vdss — 150V; непрерывный ток стока Id — 10A; сопротивление открытого канала RDS(on) — 300mΩ при Vgs=10V; пороговое напряжение Vgs(th) — 2.5V (тип.); полный заряд затвора Qg — 14nC при 10V; входная ёмкость Ciss — 465pF; выходная ёмкость Coss — 23pF; ёмкость обратной передачи Crss — 14pF; рассеиваемая мощность Pd — 40.3W; рабочая температура — -55℃ ~ +150℃.

Корпус TO-252-3L (аналог DPAK). Выводы: 1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source; теплоотводящая площадка электрически соединена со стоком. Устройство подходит для поверхностного монтажа и автоматизированной сборки. Соответствует RoHS и прошло испытания на надёжность.

Области применения: маломощные импульсные источники питания и преобразователи; синхронное выпрямление; переключатели нагрузки и защитные цепи для систем 48V; управление аккумуляторами и распределение питания; замена реле. Предпочтительно применение в качестве ключа нижнего плеча. Для верхнего плеча требуется повышающий драйвер затвора.

Параметр RDS(on) указан при Vgs=10V; при управлении от 5V сопротивление открытого канала значительно возрастает. Для снижения потерь рекомендуется управление 10V или специализированный драйвер затвора. Заряд затвора Qg=14nC требует соответствующего тока управления; для повышения скорости переключения можно применять драйвер с короткими импульсами или резистор затвора меньшего номинала, используя цепь RCD/snubber и меры по подавлению звона на PCB.

Теплоотвод корпуса TO-252 зависит от медных слоёв и контактной площадки PCB. Увеличьте площадь теплоотводящей меди, добавьте переходные отверстия к нижнему слою и сократите путь тока. При непрерывной работе допустимый ток зависит от теплоотвода PCB и условий эксплуатации; оцените нагрев и потери I^2·RDS(on), предусмотрев тепловое моделирование и снижение номинальной нагрузки. При параллельном соединении обеспечьте согласование устройств и равномерное распределение тока.