XNRUSEMI XR6005

XR6005 — одиночный N-канальный MOSFET с индуцированным каналом и траншейной структурой в корпусе SOT-23. Предназначен для синхронных понижающих преобразователей и импульсных источников питания. Соответствует RoHS.

Основные электрические параметры: Vdss: 60 V; Id: 5 A; RDS(on): 49 mΩ при Vgs = 10 V; Vgs(th): 2.5 V; Pd: 3 W; Qg: 14 nC при Vgs = 10 V; Ciss / Crss / Coss: 825 pF / 41 pF / 49 pF; рабочая температура: -55 ℃ ~ +175 ℃.

Низкое сопротивление открытого канала снижает потери проводимости. Значения Qg = 14 nC и Crss = 41 pF обеспечивают сбалансированные характеристики переключения и управления затвором. Корпус SOT-23 подходит для компактных устройств и плат питания. Типовые применения: синхронные понижающие преобразователи, управление питанием мобильных и портативных устройств, вспомогательное питание промышленного и коммуникационного оборудования, системы управления аккумуляторами и зарядки, маломощные приводы двигателей и быстро переключаемые нагрузки.

Для низкого RDS(on) рекомендуется напряжение затвора около 10V. При управлении от 5V сопротивление открытого канала увеличивается. Последовательный резистор 5–22 Ω может подавлять звон; затворную дорожку следует делать короткой и размещать близко к корпусу. Соединение вывода истока по схеме Kelvin снижает погрешность измерения.

Рассеиваемая мощность корпуса SOT-23 составляет 3W, фактическое значение зависит от площади медных полигонов и конструкции отвода тепла. При высокой частоте (>500 kHz) следует учитывать потери управления затвором. MOSFET чувствителен к электростатическому разряду; при обращении, хранении и пайке следует соблюдать требования ESD и профиль пайки оплавлением.

Для отвода тепла рекомендуется предусмотреть медные полигоны и тепловые переходные отверстия под корпусом и вокруг него.