XNRUSEMI XR40N10

XR40N10 — траншейный N-канальный MOSFET для синхронных понижающих преобразователей и импульсных источников питания. Рассчитан на напряжение 100 V и сочетает низкие потери проводимости с умеренными затратами на переключение. Корпус для поверхностного монтажа TO252-3L (DPAK).

Тип: траншейный N-канальный MOSFET. Напряжение сток–исток Vdss: 100 V. Непрерывный ток стока Id: 40 A. Сопротивление открытого канала RDS(on): 36 mΩ при Vgs = 4.5 V. Рассеиваемая мощность Pd: 42 W (в типовых условиях). Пороговое напряжение Vgs(th): 1.6 V (тип.). Полный заряд затвора Qg: 20 nC. Рабочая температура: -55 ℃ ~ +175 ℃. Корпус: TO252-3L (DPAK). Гарантия энергии лавинного пробоя: 100%. Соответствует RoHS.

Сочетание RDS(on) = 36 mΩ при 4.5 V и Qg = 20 nC обеспечивает баланс потерь проводимости и переключения при управлении напряжением 4.5–10 V. Пригоден для синхронного выпрямления и понижающих топологий с низким падением напряжения. TO252-3L поддерживает автоматический монтаж и пайку оплавлением; тепло отводится через медь печатной платы.

Типичные применения: синхронные понижающие DC–DC преобразователи для серверных, телекоммуникационных и промышленных источников питания; импульсные источники питания и силовые модули; приводы двигателей малой и средней мощности; периферийные ключи инверторов и синхронные выпрямители; драйверы LED и системы управления питанием.

При управлении 4.5 V задан параметр RDS(on); более высокое напряжение управления, например 10–12 V, может снизить сопротивление открытого канала. Для логического управления 5 V предусмотрена совместимость. С учётом Qg = 20 nC следует подобрать драйвер затвора и последовательный резистор (обычно 5–20 Ω), чтобы согласовать скорость переключения, электромагнитные помехи и звон. Низкое сопротивление затвора уменьшает потери переключения и может увеличить напряжение перенапряжения и уровень помех.

Для теплоотвода рекомендуется использовать большую площадь меди и переходные отверстия к нижнему или теплоотводящему слою платы. Следует поддерживать температуру перехода в допустимых пределах для выбранных условий Pd. Компоновка силового контура с дросселем, входными и выходными конденсаторами и MOSFET должна быть компактной, с короткими сигнальными цепями; развязывающий конденсатор размещают рядом с MOSFET.

Встроенный диод имеет характеристики обратного восстановления, которые при быстром переключении могут вызвать звон и выбросы напряжения. При необходимости применяют RC- или RCD-снаббер либо стратегию с мягким восстановлением. Допускается параллельное включение для снижения сопротивления или увеличения тока; следует учитывать общий тепловой импеданс и разводку выводов истока для равномерного распределения тока.

При эксплуатации следует учитывать безопасную область работы (SOA) и тепловые ограничения. Для высокочастотных применений важны зависимость RDS(on) от Vgs и динамические характеристики затвора; ток драйвера должен соответствовать Qg. Следует соблюдать параметры пайки и меры защиты от электростатического разряда.