XNRUSEMI XR6946

XR6946 — сдвоенный N-канальный MOSFET с траншейной структурой и высокой плотностью ячеек, корпус SOP8.

Основные параметры: два N-канальных MOSFET; Vdss: 60 V; непрерывный ток стока Id: 6 A; RDS(on): 28 mΩ при Vgs = 10 V; рассеиваемая мощность Pd: 1.5 W; пороговое напряжение Vgs(th): 1.6 V; полный заряд затвора Qg: 20.3 nC при Vgs = 30 V; входная ёмкость Ciss: 1.148 nF; ёмкость обратной передачи Crss: 49.4 pF; рабочая температура: -55 ℃ ~ +150 ℃; корпус SOP8; соответствие RoHS.

Траншейная структура с высокой плотностью ячеек обеспечивает низкое сопротивление RDS(on) и уменьшает паразитное сопротивление. Значения 28 mΩ при 10 V и заряд затвора 20.3 nC позволяют сбалансировать потери проводимости и переключения. Сдвоенный корпус SOP8 подходит для размещения верхнего и нижнего ключей в компактных схемах.

Типичные применения: синхронные понижающие преобразователи; импульсные источники питания и управление батареями; управление двигателями и силовая коммутация; промышленные устройства управления и универсальные источники питания.

При напряжении управления затвором около 10 V достигается минимальное RDS(on). При логическом управлении 5 V сопротивление возрастает; порог Vgs(th) около 1.6 V не является рабочей точкой. Для управления затвором следует учитывать Qg 20.3 nC. Подавляйте звон подходящим резистором затвора. Минимизируйте площадь контура переключения, размещайте рядом входные конденсаторы и используйте широкие медные дорожки и тепловые переходные отверстия. При Pd 1.5 W предусмотрите отвод тепла. При высоком dv/dt учитывайте эффект Миллера, связанный с Crss около 49.4 pF.

Соответствует RoHS. Для проверки надёжности в целевых условиях рекомендуется тепловое моделирование и испытания на длительную нагрузку.