XNRUSEMI XR20N10

XR20N10 — N-канальный силовой MOSFET с канавочной структурой, рассчитанный на напряжение сток–исток 100V и применение в ключевых схемах среднего и высокого напряжения. Технология с высокой плотностью ячеек обеспечивает низкое сопротивление открытого канала при умеренном заряде затвора.

Основные параметры: непрерывный ток стока Id — 20A; RDS(on) — 90mΩ при Vgs=10V; пороговое напряжение Vgs(th) — 2.5V (тип.); полный заряд затвора Qg — 20.6nC при Vds=50V (тип.); входная ёмкость Ciss — 1.22nF; ёмкость обратной передачи Crss — 42pF; рассеиваемая мощность Pd — 41.7W; диапазон рабочей температуры перехода — -55℃ ~ +150℃. Корпус TO252-3L, поверхностный монтаж. Соответствует RoHS.

Области применения: синхронные понижающие преобразователи и выпрямители; управление питанием и переключение нагрузки; приводы двигателей и инверторы малой и средней мощности; автомобильная электроника и промышленные источники питания.

Для достижения указанного RDS(on) используйте Vgs=10V. При управлении напряжением, например 5V, сопротивление канала возрастает. Заряд затвора Qg=20.6nC требует драйвера с достаточным выходным током, особенно при высокой частоте переключения. Для отвода тепла увеличьте площадь медных слоёв PCB и соедините их переходными отверстиями. Сократите индуктивность цепи стока и длину силовых дорожек; оптимизируйте цепь затвора и истока для уменьшения звона и EMI. Скорость переключения можно регулировать резистором затвора и RC-цепью. При параллельном подключении обеспечьте равномерное распределение тока и согласованный тепловой режим.

Устройство прошло испытания на надёжность и функциональную проверку. Заявлено 100% EAS.