XNRUSEMI XR1216M

Обзор XR1216M

XR1216M — транзистор MOSFET с P-каналом и траншейной структурой с высокой плотностью ячеек, в корпусе DFN2020-6L. Предназначен для синхронных понижающих преобразователей и высокобоковых ключей. Сочетает низкие потери проводимости с контролируемым зарядом затвора и подходит для компактных источников питания с высокими требованиями к эффективности и коммутационным характеристикам.

Основные параметры
Тип: MOSFET с P-каналом, одиночный
Напряжение сток–исток Vdss: 15 V
Непрерывный ток стока Id: 16 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 18 mΩ при Vgs = 4.5 V
Пороговое напряжение Vgs(th): 1 V (тип.)
Полный заряд затвора Qg: 35 nC при Vgs = 4.5 V
Входная емкость Ciss: 2.6 nF; выходная емкость Coss: 670 pF; емкость обратной передачи Crss: 560 pF
Рассеиваемая мощность Pd: 2.8 W (зависит от корпуса и условий теплоотвода)
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: DFN2020-6L

Применение
Синхронные понижающие преобразователи (верхний ключ)
Управление трактом питания и нагрузкой
Устройства с питанием от аккумулятора, портативные терминалы, схемы управления зарядом и защиты питания
Компактные силовые модули с оптимизацией потерь проводимости и переключения

Рекомендации по управлению и коммутации
Номинальное значение RDS(on) достигается при Vgs = 4.5 V. Для минимизации потерь проводимости рекомендуется драйвер, обеспечивающий напряжение затвора около -4.5 V относительно истока. Заряд затвора Qg составляет 35 nC; при выборе драйвера и резистора затвора следует учитывать требуемый баланс между скоростью переключения и EMI/звонками. Емкость Crss (560 pF) влияет на емкостную связь во время переходных процессов; при выключении следует предотвращать ложное срабатывание затвора из-за изменения напряжения стока.

Рекомендуется установить небольшой последовательный резистор затвора (десятки ом) для ограничения импульсного тока и подавления звона, сократить цепь драйвера для уменьшения паразитной индуктивности и разместить достаточные развязывающие конденсаторы рядом с узлом переключения для снижения выбросов напряжения.

Теплоотвод и разводка печатной платы
Корпус DFN2020-6L способствует отводу тепла через плату; отвод мощности Pd 2.8 W зависит от площади медных участков и расположения переходных отверстий. Рекомендуется предусмотреть большую медную площадку под компонентом, соединенную с выводами, и несколько переходных отверстий для передачи тепла на медный слой обратной стороны. Дорожки стока и истока следует делать широкими и короткими, чтобы уменьшить паразитное сопротивление. Высокочастотные развязывающие конденсаторы следует размещать рядом с компонентом, обеспечивая кратчайший путь возвратного тока узла переключения.

Надежность и соответствие требованиям
Рабочий диапазон температур составляет -55 ℃ ~ +150 ℃. Для надежной длительной работы следует соблюдать ограничения теплового режима и электрических нагрузок, не превышая предельные значения.