YONGYUTAI BC847C

BC847C — маломощный биполярный NPN-транзистор для коммутации и усиления малых сигналов. Корпус SOT-23 подходит для поверхностного монтажа и компактных схем.

Основные электрические параметры
• Тип транзистора: NPN.
• Коэффициент передачи постоянного тока hFE: до 800 при Ic = 2 mA, VCE = 5 V.
• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер VCEO: 45 V.
• Максимальный ток коллектора Ic: 100 mA.
• Ток отсечки коллектора ICBO: ≤ 10 nA при комнатной температуре.
• Граничная частота fT: около 100 MHz.
• Рассеиваемая мощность Pd: 200 mW; зависит от корпуса и условий окружающей среды.
• Напряжение пробоя эмиттер-база VEBO: 6 V.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): около 500 mV при Ic = 100 mA, Ib = 5 mA (типовое значение).

Корпус и применение
Корпус SOT-23 предназначен для поверхностного монтажа. Рассеиваемая мощность составляет 200 mW; при проектировании учитывайте тепловой путь и площадь меди. Применяется в малоточных предварительных усилителях, схемах обнаружения сигнала, малосигнальных ключах и драйверах логических сигналов, высокочастотных усилителях малых сигналов и аналоговых схемах портативных устройств с батарейным питанием.

Рекомендации по применению
Высокое усиление проявляется при малых рабочих токах. Для устойчивой работы учитывайте обратную связь и возможное возбуждение; при необходимости добавьте резистор в цепь базы или шунтирующий конденсатор. Соблюдайте пределы VCEO, VEBO и Pd, температурный профиль пайки для SOT-23 и меры защиты от электростатического разряда.