YANGJIE S8550-H S8550

S8550-H — маломощный биполярный транзистор PNP производства YANGJIE в корпусе SOT-23, предназначенный для усиления малых сигналов и управления низковольтными ключами.

Основные параметры: тип транзистора — PNP; максимальный ток коллектора Ic — 500mA; напряжение пробоя коллектор—эмиттер VCEO — 25V; рассеиваемая мощность Pd — 300mW (корпус SOT-23); коэффициент усиления по постоянному току hFE — 120 (Ic=500mA, VCE=1V); граничная частота fT — 150MHz; ток отсечки коллектора Icbo — 100nA (типовое значение); напряжение насыщения коллектор—эмиттер VCE(sat) — 600mV (типовое значение); напряжение пробоя эмиттер—база VEBO — 5V; рабочая температура — -55℃ ～ +150℃.

При работе в линейном режиме расчетный базовый ток составляет около 4.2mA при Ic=500mA и hFE=120 (Ib≈Ic/hFE). Для переключения и насыщения требуется увеличить базовый ток; его величину следует выбирать с учетом потерь и времени отклика. Частота fT=150MHz подходит для усиления высокочастотных малых сигналов и быстрого переключения.

Компактный корпус SOT-23 экономит площадь платы. Рассеиваемая мощность составляет 300mW, поэтому следует предусмотреть отвод тепла, включая достаточную площадь меди вокруг контактных площадок.

Применение: усилители малых сигналов и предварительные усилители; низковольтное управление ключами и преобразование уровней; схемы защиты и управления устройств с батарейным питанием; входные и драйверные каскады аудиоусилителей.

Не допускайте обратного напряжения на базе выше VEBO=5V. Учитывайте небольшой ток утечки Icbo и проверяйте коэффициент усиления и характеристики насыщения при высокой частоте или токе, соблюдая область безопасной работы.