YANGJIE BCX56-16 BCX56

BCX56-16 — NPN-транзистор общего назначения для усиления и переключения. Информация о корпусе отсутствует; перед применением проверьте официальную документацию на изделие.

Основные электрические параметры:

• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора Ic: 1 A (максимум)
• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 80 V
• Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 500 mW (при заданных условиях измерения)
• Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 250 (Ic=150 mA, VCE=2 V)
• Граничная частота fT: 130 MHz
• Ток отсечки коллектора Icbo: 100 nA
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): типовое 0.5 V (500 mA и 50 mA)
• Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 5 V
• Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃

При Ic=150 mA и VCE=2 V коэффициент hFE составляет около 250. Учитывайте разброс усиления и его зависимость от температуры. Граничная частота около 130 MHz позволяет применять транзистор в усилительных каскадах от звукового диапазона до радиочастотных предварительных каскадов; на высоких частотах важны согласование импедансов и разводка платы. Для работы в ключевом режиме обеспечьте достаточный ток базы. Рассеиваемая мощность должна удовлетворять условию P = VCE × IC ≤ Pd; при повышении температуры перехода учитывайте снижение допустимой мощности. Напряжение Vebo=5 V ограничивает допустимое обратное напряжение между базой и эмиттером.

Типичные применения: малосигнальные и средне-мощные усилители, низковольтные ключи и драйверы нагрузки, буферы интерфейсов, преобразователи уровней и промежуточные каскады высокочастотных схем.

Перед выбором проверьте фактический тип корпуса, тепловое сопротивление и распиновку. Для режимов с высоким током или длительной высокой мощностью используйте корпус с подходящим теплоотводом и учитывайте кривую снижения допустимых параметров и безопасную область работы (SOA). Обеспечьте достаточный ток базы и установите защитный резистор. Избегайте обратного напряжения база-эмиттер выше Vebo; при необходимости защитите переход диодом.