YANGJIE BC817-16 BC817

BC817-16 — маломощный кремниевый биполярный транзистор NPN в корпусе SOT-23 (TO-236) для поверхностного монтажа, производства YANGJIE. Предназначен для коммутации общего назначения и усиления малых сигналов.

Основные параметры:
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора Ic: 500 mA
• Напряжение пробоя коллектор–эмиттер Vceo: 45 V
• Рассеиваемая мощность Pd: 300 mW (корпус SOT-23)
• Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 100 при Ic = 100 mA, VCE = 1 V
• Частота перехода fT: 100 MHz
• Ток отсечки коллектора Icbo: 100 nA
• Напряжение насыщения коллектор–эмиттер VCE(sat): около 700 mV (типовое)
• Диапазон рабочей температуры: -55 ℃–+150 ℃
• Напряжение пробоя эмиттер–база Vebo: 5 V
• Корпус: SOT-23 (TO-236)

Характеристики: максимальный ток коллектора 500 mA, напряжение пробоя Vceo 45 V, коэффициент hFE 100 при заданной рабочей точке, частота перехода 100 MHz и низкий ток утечки Icbo 100 nA.

Применение: усилители малых сигналов, управление нагрузками от выводов микроконтроллера, цепи управления питанием, защита от переполюсовки, управление малогабаритными двигателями и зуммерами, преобразование уровней и импульсная коммутация.

При проектировании учитывайте предел рассеиваемой мощности 300 mW и допустимые значения VCE и Ic. Для работы в режиме насыщения обеспечьте достаточный ток базы и используйте ограничительный резистор. В высокочастотных схемах уменьшайте паразитные емкости и индуктивность дорожек. Напряжение база–эмиттер в обратном направлении ограничено значением Vebo 5 V; при управлении индуктивной нагрузкой предусмотрите защитный диод или элемент подавления выбросов.

Корпус SOT-23 подходит для автоматизированного SMT-монтажа. При проектировании печатной платы предусмотрите площадь меди для отвода тепла. Соблюдайте требования ESD и рекомендованный режим пайки.