栅极驱动芯片 - WMSIC Electronic Components

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栅极驱动芯片

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双路复合栅极驱动器，可驱动N沟道MOSFET，具备负输出电压能力，采用复合CMOS和双极输出，可并联以增加驱动电流 LM5110 SOIC-8

双路复合栅极驱动器，可驱动N沟道MOSFET，具备负输出电压能力，采用复合CMOS和双极输出，可并联以增加驱动电流 LM5110 SOIC-8

型号: LM5110-2MX/NOPB
封装: SOIC-8

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单通道3.0 kV（有效值）隔离式栅极驱动，具备有源密勒钳位或独立输出 1ED3124MU12FXUMA1 SOIC-8

单通道3.0 kV（有效值）隔离式栅极驱动，具备有源密勒钳位或独立输出 1ED3124MU12FXUMA1 SOIC-8

型号: 1ED3124MU12FXUMA1
封装: SOIC-8

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5V至60V H桥栅极驱动器，符合AEC-Q100标准 MPQ6528GVE QFN-28(4x5)

5V至60V H桥栅极驱动器，符合AEC-Q100标准 MPQ6528GVE QFN-28(4x5)

型号: MPQ6528GVE-AEC1-Z
封装: QFN-28(4x5)

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高级8引脚负载共享控制器 UCC29002DR SOIC-8

高级8引脚负载共享控制器 UCC29002DR SOIC-8

型号: UCC29002DR
封装: SOIC-8

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六路半桥驱动器 NCV7723DQBR2G HTSSOP-24-EP-4mm

六路半桥驱动器 NCV7723DQBR2G HTSSOP-24-EP-4mm

型号: NCV7723DQBR2G
封装: HTSSOP-24-EP-4mm

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十二通道半桥功率输出驱动 TLE94112ESXUMA1 TSDSO-24

十二通道半桥功率输出驱动 TLE94112ESXUMA1 TSDSO-24

型号: TLE94112ESXUMA1
封装: TSDSO-24

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高速双MOSFET驱动器 MD1213K6 QFN-12-EP(4x4)

高速双MOSFET驱动器 MD1213K6 QFN-12-EP(4x4)

型号: MD1213K6-G
封装: QFN-12-EP(4x4)

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高频半桥驱动器 UCC27212DPRR WSON-10-EP(4x4)

高频半桥驱动器 UCC27212DPRR WSON-10-EP(4x4)

型号: UCC27212DPRR
封装: WSON-10-EP(4x4)

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单通道隔离式SiC-MOSFET驱动器 1EDI3031ASXUMA1 BFSOP-20-300mil

单通道隔离式SiC-MOSFET驱动器 1EDI3031ASXUMA1 BFSOP-20-300mil

型号: 1EDI3031ASXUMA1
封装: BFSOP-20-300mil

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受保护的高端 MOSFET 驱动器 LT1910ES8 SO-8

受保护的高端 MOSFET 驱动器 LT1910ES8 SO-8

型号: LT1910ES8#TRPBF
封装: SO-8

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45V电机驱动芯片 DRV83053QPHPRQ1 HTQFP-48(7x7)

45V电机驱动芯片 DRV83053QPHPRQ1 HTQFP-48(7x7)

型号: DRV83053QPHPRQ1
封装: HTQFP-48(7x7)

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具有可调节死区时间的半桥MOSFET和GaNFET驱动器 LMG1210RVRT WQFN-19(3x4)

具有可调节死区时间的半桥MOSFET和GaNFET驱动器 LMG1210RVRT WQFN-19(3x4)

型号: LMG1210RVRT
封装: WQFN-19(3x4)

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45V电机驱动芯片 DRV83055QPHPRQ1 HTQFP-48-EP(7x7)

45V电机驱动芯片 DRV83055QPHPRQ1 HTQFP-48-EP(7x7)

型号: DRV83055QPHPRQ1
封装: HTQFP-48-EP(7x7)

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单通道低侧同相栅极驱动芯片，输入输出同相位，兼容低电平逻辑，采用CMOS技术，具高电容负载驱动能力和欠压锁定功能 NSG44273 SOT-23-5

单通道低侧同相栅极驱动芯片，输入输出同相位，兼容低电平逻辑，采用CMOS技术，具高电容负载驱动能力和欠压锁定功能 NSG44273 SOT-23-5

型号: NSG44273
封装: SOT-23-5

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带LDO的三相PMOS+NMOS半桥驱动芯片 XJNG0461 SOP-16

带LDO的三相PMOS+NMOS半桥驱动芯片 XJNG0461 SOP-16

型号: XJNG0461
封装: SOP-16

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高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立高低侧参考输出通道，采用高低压兼容工艺，逻辑输入电平兼容CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通死区逻辑 G2025 SOIC-8

高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立高低侧参考输出通道，采用高低压兼容工艺，逻辑输入电平兼容CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通死区逻辑 G2025 SOIC-8

型号: G2025
封装: SOIC-8

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驱动芯片 LKS520 SOP-8

驱动芯片 LKS520 SOP-8

型号: LKS520
封装: SOP-8

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单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片 NSG2007 SOIC-8

单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片 NSG2007 SOIC-8

型号: NSG2007
封装: SOIC-8

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自举工作的浮地通道高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具备独立输出通道、高低压兼容工艺、大电流脉冲能力和防直通死区逻辑 XJNG2102D SOP-8

自举工作的浮地通道高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具备独立输出通道、高低压兼容工艺、大电流脉冲能力和防直通死区逻辑 XJNG2102D SOP-8

型号: XJNG2102D
封装: SOP-8

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带使能的单通道低侧栅极驱动芯片，输入输出同相位，兼容TTL和CMOS逻辑输入，采用CMOS技术，具有高输出拉/灌电流、高电容负载驱动能力和欠压锁定功能 NSG27531 SOT-23-6

带使能的单通道低侧栅极驱动芯片，输入输出同相位，兼容TTL和CMOS逻辑输入，采用CMOS技术，具有高输出拉/灌电流、高电容负载驱动能力和欠压锁定功能 NSG27531 SOT-23-6

型号: NSG27531
封装: SOT-23-6

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高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立高低侧参考输出通道，采用高低压兼容工艺，集成欠压锁定电路和自举二极管，可防止直通保护 NSG6002 SOP8

高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立高低侧参考输出通道，采用高低压兼容工艺，集成欠压锁定电路和自举二极管，可防止直通保护 NSG6002 SOP8

型号: NSG6002
封装: SOP8

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高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立高低侧参考输出通道，采用高低压兼容工艺，集成欠压锁定电路和自举二极管，具备防止直通保护功能 NSG3024 SOP-8

高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立高低侧参考输出通道，采用高低压兼容工艺，集成欠压锁定电路和自举二极管，具备防止直通保护功能 NSG3024 SOP-8

型号: NSG3024
封装: SOP-8

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2A单通道低侧栅极驱动芯片 NSG1415 SOT-23-5

2A单通道低侧栅极驱动芯片 NSG1415 SOT-23-5

型号: NSG1415
封装: SOT-23-5

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带使能的单通道低侧栅极驱动芯片，输入输出同相位，采用CMOS技术，兼容多种输入逻辑，具宽VDD范围、欠压锁定和输出电流缓冲级 NSG27519 SOT-23-5

带使能的单通道低侧栅极驱动芯片，输入输出同相位，采用CMOS技术，兼容多种输入逻辑，具宽VDD范围、欠压锁定和输出电流缓冲级 NSG27519 SOT-23-5

型号: NSG27519
封装: SOT-23-5

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