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栅极驱动光耦
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IGBT栅极驱动光耦,采用铝镓砷发光二极管与CMOS探测器光耦合,输出级使用P沟道MOSFET,具有高抗噪性、快速开关速度、低动态功耗和欠压锁定保护 FOD3184 DIP-8
- 型号
- FOD3184(UMW)
- 封装
- DIP-8
IGBT栅极驱动光耦,采用铝镓砷发光二极管与CMOS探测器光耦合,输出级使用P沟道MOSFET,具有高抗噪性、快速开关速度、低动态功耗和欠压锁定保护 FOD3184S SOP-8
- 型号
- FOD3184S(UMW)
- 封装
- SOP-8