2-Gbit,2112字节/1056字页,多平面架构,1.8V或3V,SLC NAND闪存 NAND02GW3B2DN6E TSOP-48 型号NAND02GW3B2DN6E 封装TSOP-48 发送询盘
4-Gbit和8-Gbit、2112字节/1056字页面、多平面架构、1.8V或3V、SLC NAND闪存 NAND04GR3B2DN6E TSOP-48 型号NAND04GR3B2DN6E 封装TSOP-48 发送询盘
1-Gbit、2-Gbit,2112字节/1056字页,1.8V/3V NAND闪存 NAND01GR3B2BZA6E VFBGA-63(9x11) 型号NAND01GR3B2BZA6E 封装VFBGA-63(9x11) 发送询盘
MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E MT29F256G08CECEBJ4 VBGA-132(12x18) 型号MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E 封装VBGA-132(12x18) 发送询盘
NAND闪存存储器,高达1Gbit存储阵列,x8或x16总线宽度,1.8V/3V供电 NAND512W3A2BZA6E FBGA-63(8.5x15) 型号NAND512W3A2BZA6E 封装FBGA-63(8.5x15) 发送询盘
NAND闪存存储器,高达1Gbit存储阵列,x8或x16总线宽度,1.8V/3V供电 NAND512R3A2AZA6E FBGA-55(8x10) 型号NAND512R3A2AZA6E 封装FBGA-55(8x10) 发送询盘