NOR FLASH - WMSIC Electronic Components

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NOR FLASH

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128Mb 3V 嵌入式并行 NOR 闪存 M29W128GL70N6E TSOP-56

128Mb 3V 嵌入式并行 NOR 闪存 M29W128GL70N6E TSOP-56

型号: M29W128GL70N6E
封装: TSOP-56

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N25Q00AA13G1241E BGA-24(6x8)

N25Q00AA13G1241E BGA-24(6x8)

型号: N25Q00AA13G1241E
封装: BGA-24(6x8)

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4Mb SMART 5 启动块闪存 MT28F400B5WG TSOPI-48

4Mb SMART 5 启动块闪存 MT28F400B5WG TSOPI-48

型号: MT28F400B5WG-8 T TR
封装: TSOPI-48

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M29W400DB70ZE6E FBGA-48(6x9)

M29W400DB70ZE6E FBGA-48(6x9)

型号: M29W400DB70ZE6E
封装: FBGA-48(6x9)

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S25FL164K0XNFV010 WSON-8(6x8)

S25FL164K0XNFV010 WSON-8(6x8)

型号: S25FL164K0XNFV010
封装: WSON-8(6x8)

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512Mb、1Gb、2Gb容量，65nm工艺P33闪存 JS28F512P33TFA TSOP-56

512Mb、1Gb、2Gb容量，65nm工艺P33闪存 JS28F512P33TFA TSOP-56

型号: JS28F512P33TFA
封装: TSOP-56

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128 Mbit 1.8 V 安全闪存存储器 M58LT128KST7ZA6E BGA-64(10x13)

128 Mbit 1.8 V 安全闪存存储器 M58LT128KST7ZA6E BGA-64(10x13)

型号: M58LT128KST7ZA6E
封装: BGA-64(10x13)

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128-Mbit、64-Mbit单比特每单元（SBC）非易失性存储器 RC28F640P30TF65A EASYBGA-64(10x13)

128-Mbit、64-Mbit单比特每单元（SBC）非易失性存储器 RC28F640P30TF65A EASYBGA-64(10x13)

型号: RC28F640P30TF65A
封装: EASYBGA-64(10x13)

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4 Mbit 3V 供电闪存 M29W400DB55N1 TSOP-48

4 Mbit 3V 供电闪存 M29W400DB55N1 TSOP-48

型号: M29W400DB55N1
封装: TSOP-48

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128或256Mbit 1.8V供电闪存 M58LR128KT85ZB6E VFBGA-56(7.7x9)

128或256Mbit 1.8V供电闪存 M58LR128KT85ZB6E VFBGA-56(7.7x9)

型号: M58LR128KT85ZB6E
封装: VFBGA-56(7.7x9)

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8-Mbit 3.0V 串行闪存，统一 4 kB 扇区 S25FL208K0RMFI040 SOIC-8

8-Mbit 3.0V 串行闪存，统一 4 kB 扇区 S25FL208K0RMFI040 SOIC-8

型号: S25FL208K0RMFI040
封装: SOIC-8

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M29W800FB70ZA3SF TFBGA-48(6x8)

M29W800FB70ZA3SF TFBGA-48(6x8)

型号: M29W800FB70ZA3SF
封装: TFBGA-48(6x8)

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32M位3.0V并行闪存存储器，支持页面模式 W29GL032CH7B LFBGA-64(11x13)

32M位3.0V并行闪存存储器，支持页面模式 W29GL032CH7B LFBGA-64(11x13)

型号: W29GL032CH7B
封装: LFBGA-64(11x13)

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1.8V 16M-BIT 串行闪存存储器，支持双/四SPI和QPI W25Q16DWSNIG SOIC-8

1.8V 16M-BIT 串行闪存存储器，支持双/四SPI和QPI W25Q16DWSNIG SOIC-8

型号: W25Q16DWSNIG TR
封装: SOIC-8

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8Mb SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY，5V 单电源或双电源，0.18um 工艺技术 MT28F800B5SG SOP-44

8Mb SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY，5V 单电源或双电源，0.18um 工艺技术 MT28F800B5SG SOP-44

型号: MT28F800B5SG-8 T TR
封装: SOP-44

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RC28F256P33BFE EASYBGA-64(8x10)

RC28F256P33BFE EASYBGA-64(8x10)

型号: RC28F256P33BFE
封装: EASYBGA-64(8x10)

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64 Mbit 1.8 V 闪存芯片 S29WS064RABBHW000 FBGA-84(8x11.6)

64 Mbit 1.8 V 闪存芯片 S29WS064RABBHW000 FBGA-84(8x11.6)

型号: S29WS064RABBHW000
封装: FBGA-84(8x11.6)

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PC28F128M29EWLA FBGA-64(11x13)

PC28F128M29EWLA FBGA-64(11x13)

型号: PC28F128M29EWLA
封装: FBGA-64(11x13)

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65nm单比特单元嵌入式闪存 PC28F320J3F75E EASYBGA-64(10x13)

65nm单比特单元嵌入式闪存 PC28F320J3F75E EASYBGA-64(10x13)

型号: PC28F320J3F75E
封装: EASYBGA-64(10x13)

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MX25U6435EMI-10G MX25U6435EMI SOP-16

MX25U6435EMI-10G MX25U6435EMI SOP-16

型号: MX25U6435EMI-10G
封装: SOP-16

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Gbit、512、256、128Mbit、3V页闪存，采用90nm MirrorBit工艺技术 S29GL128P10FFIS13 FBGA-64(11x13)

Gbit、512、256、128Mbit、3V页闪存，采用90nm MirrorBit工艺技术 S29GL128P10FFIS13 FBGA-64(11x13)

型号: S29GL128P10FFIS13
封装: FBGA-64(11x13)

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4Mb SMART 5 启动块闪存 MT28F400B5WP TSOPI-48

4Mb SMART 5 启动块闪存 MT28F400B5WP TSOPI-48

型号: MT28F400B5WP-8 T TR
封装: TSOPI-48

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Gbit、512、256、128Mbit、3V页闪存，采用90nm MirrorBit工艺技术 S29GL128P90FAIR22 FBGA-64(11x13)

Gbit、512、256、128Mbit、3V页闪存，采用90nm MirrorBit工艺技术 S29GL128P90FAIR22 FBGA-64(11x13)

型号: S29GL128P90FAIR22
封装: FBGA-64(11x13)

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128/64/32-Mbit 3V 增强型多功能闪存 S29PL064J55BFI123 FBGA-48(6.2x8.2)

128/64/32-Mbit 3V 增强型多功能闪存 S29PL064J55BFI123 FBGA-48(6.2x8.2)

型号: S29PL064J55BFI123
封装: FBGA-48(6.2x8.2)

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