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Gbit、512、256、128 Mbit、3V、采用 90nm MirrorBit 工艺技术的页闪存 S29GL256P11TFI020 TSOP-56-14.0mm
- 型号
- S29GL256P11TFI020
- 封装
- TSOP-56-14.0mm
![3V、512Mbit [x1/x8] 互补金属氧化物半导体（CMOS）八倍速闪存 MX25LM51245GXDI00 CSPBGA-24(6x8)](https://wmsic.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/public/wmsic/package-images/93/cspbga-24-6x8-93b71b13c2bfa63c-900.webp)
3V、512Mbit [x1/x8] 互补金属氧化物半导体（CMOS）八倍速闪存 MX25LM51245GXDI00 CSPBGA-24(6x8)
- 型号
- MX25LM51245GXDI00
- 封装
- CSPBGA-24(6x8)
MT28EW01GABA1LJS-0SIT MT28EW01GABA1LJS TFSOP-56-18.4mm
- 型号
- MT28EW01GABA1LJS-0SIT
- 封装
- TFSOP-56-18.4mm
1Gb，x8/x16，3V嵌入式并行NOR闪存 MT28EW01GABA1LJS TSOP-56-18.4mm
- 型号
- MT28EW01GABA1LJS-0SIT
- 封装
- TSOP-56-18.4mm
MT28EW01GABA1HPC 0SIT TR MT28EW01GABA1HPC LBGA-64(11x13)
- 型号
- MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR
- 封装
- LBGA-64(11x13)
![1.8V、1Gbit [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO（串行多输入输出）闪存 MX66U1G45GMI00 SOIC-16-300mil](https://wmsic.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/public/wmsic/package-images/e7/soic-16-300mil-e7c820bbd2b66e75-900.webp)
1.8V、1Gbit [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO（串行多输入输出）闪存 MX66U1G45GMI00 SOIC-16-300mil
- 型号
- MX66U1G45GMI00
- 封装
- SOIC-16-300mil
3V、1Gb 容量，CMOS 工艺的 MXSMIO（串行多输入输出）闪存 MX66L1G45GMI SOIC-16-300mil
- 型号
- MX66L1G45GMI-10G
- 封装
- SOIC-16-300mil
Gbit、512、256、128 Mbit、3V、采用 90nm MirrorBit 工艺技术的页闪存 S29GL128P11TFI010 TFSOP-56-18.4mm
- 型号
- S29GL128P11TFI010
- 封装
- TFSOP-56-18.4mm