並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3004316045NX0PBCY
- 型號
- M3004316045NX0PBCY
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随机存取記憶體(RAM)
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3004316045NX0PTAR TSOPII-44
- 型號
- M3004316045NX0PTAR
- 封裝
- TSOPII-44
並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3004316045NX0PTAY TSOPII-44
- 型號
- M3004316045NX0PTAY
- 封裝
- TSOPII-44
並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3004316045NX0PTBR
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- M3004316045NX0PTBR
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3004316045NX0PTBY
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- M3004316045NX0PTBY
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3008316035NX0IBCR
- 型號
- M3008316035NX0IBCR
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3008316035NX0ITBR
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3008316035NX0ITBY
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3008316035NX0PBCR
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3008316035NX0PTBR
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3008316035NX0PTBY
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3008316045NX0IBCR
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3008316045NX0PTBY
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3016316035NX0IBCR
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3016316035NX0ITBR
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3016316035NX0ITBY
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3016316035NX0PBCR
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3016316035NX0PBCY
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並行磁阻随机存取記憶體，40nm pMTJ STT - MRAM技術，4Mbit - 32Mbit，多种封裝 M3016316035NX0PTBR
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- M3016316035NX0PTBR
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