并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316045NX0PBCY
- 型号
- M3004316045NX0PBCY
- 封装
- -
产品搜索
随机存取存储器(RAM)
请输入至少两个字符。结果会分页展示，保证服务稳定。
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316045NX0PTAR TSOPII-44
- 型号
- M3004316045NX0PTAR
- 封装
- TSOPII-44
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316045NX0PTAY TSOPII-44
- 型号
- M3004316045NX0PTAY
- 封装
- TSOPII-44
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316045NX0PTBR
- 型号
- M3004316045NX0PTBR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316045NX0PTBY
- 型号
- M3004316045NX0PTBY
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316035NX0IBCR
- 型号
- M3008316035NX0IBCR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316035NX0ITBR
- 型号
- M3008316035NX0ITBR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316035NX0ITBY
- 型号
- M3008316035NX0ITBY
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316035NX0PBCR
- 型号
- M3008316035NX0PBCR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316035NX0PBCY
- 型号
- M3008316035NX0PBCY
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316035NX0PTBR
- 型号
- M3008316035NX0PTBR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316035NX0PTBY
- 型号
- M3008316035NX0PTBY
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316045NX0IBCR
- 型号
- M3008316045NX0IBCR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316045NX0ITBR
- 型号
- M3008316045NX0ITBR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316045NX0ITBY
- 型号
- M3008316045NX0ITBY
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316045NX0PBCR
- 型号
- M3008316045NX0PBCR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316045NX0PTBR
- 型号
- M3008316045NX0PTBR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3008316045NX0PTBY
- 型号
- M3008316045NX0PTBY
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3016316035NX0IBCR
- 型号
- M3016316035NX0IBCR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3016316035NX0ITBR
- 型号
- M3016316035NX0ITBR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3016316035NX0ITBY
- 型号
- M3016316035NX0ITBY
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3016316035NX0PBCR
- 型号
- M3016316035NX0PBCR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3016316035NX0PBCY
- 型号
- M3016316035NX0PBCY
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3016316035NX0PTBR
- 型号
- M3016316035NX0PTBR
- 封装
- -