随机存取存储器(RAM) - WMSIC Electronic Components

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随机存取存储器(RAM)

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256Kb串行SPI MRAM MR25H256MDC DFN-8(5x6)

256Kb串行SPI MRAM MR25H256MDC DFN-8(5x6)

型号: MR25H256MDC
封装: DFN-8(5x6)

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高性能串行MRAM存储器 M30082040054X0PSAY SOIC-8

高性能串行MRAM存储器 M30082040054X0PSAY SOIC-8

型号: M30082040054X0PSAY
封装: SOIC-8

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1 Mb高速Quad SPI MRAM MR10Q010CMB BGA-24(6x8)

1 Mb高速Quad SPI MRAM MR10Q010CMB BGA-24(6x8)

型号: MR10Q010CMB
封装: BGA-24(6x8)

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128K x 16 MRAM内存，35ns读写周期，无限读写耐久性，数据非易失 MR1A16AVYS35R TSOP-442

128K x 16 MRAM内存，35ns读写周期，无限读写耐久性，数据非易失 MR1A16AVYS35R TSOP-442

型号: MR1A16AVYS35R
封装: TSOP-442

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双电源128Kx8 MRAM MR0D08BMA45 FBGA-48(8x8)

双电源128Kx8 MRAM MR0D08BMA45 FBGA-48(8x8)

型号: MR0D08BMA45
封装: FBGA-48(8x8)

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512Kx16 MRAM，3.3V电源，35ns读写周期 MR3A16AYS35 TSOP2-54

512Kx16 MRAM，3.3V电源，35ns读写周期 MR3A16AYS35 TSOP2-54

型号: MR3A16AYS35
封装: TSOP2-54

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128Kx8 MRAM，3.3V电源，35ns读写周期，SRAM兼容时序 MR0A08BMA35 FBGA-48(8x8)

128Kx8 MRAM，3.3V电源，35ns读写周期，SRAM兼容时序 MR0A08BMA35 FBGA-48(8x8)

型号: MR0A08BMA35
封装: FBGA-48(8x8)

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64Kx16 MRAM内存，3.3V电源，35ns读写周期 MR0A16AVYS35R TSOP-442

64Kx16 MRAM内存，3.3V电源，35ns读写周期 MR0A16AVYS35R TSOP-442

型号: MR0A16AVYS35R
封装: TSOP-442

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128K x 16 MRAM内存，35ns读写周期，无限读写耐久性，数据非易失 MR1A16AYS35 TSOP-442

128K x 16 MRAM内存，35ns读写周期，无限读写耐久性，数据非易失 MR1A16AYS35 TSOP-442

型号: MR1A16AYS35
封装: TSOP-442

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16Mb汽车温度范围MRAM MR4A08BUYS45R TSOP-442

16Mb汽车温度范围MRAM MR4A08BUYS45R TSOP-442

型号: MR4A08BUYS45R
封装: TSOP-442

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1 Mb高速Quad SPI MRAM MR10Q010CSCR SOIC-16

1 Mb高速Quad SPI MRAM MR10Q010CSCR SOIC-16

型号: MR10Q010CSCR
封装: SOIC-16

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4Mb SPI接口MRAM MR25H40MDF DFN-8-EP(5x6)

4Mb SPI接口MRAM MR25H40MDF DFN-8-EP(5x6)

型号: MR25H40MDF
封装: DFN-8-EP(5x6)

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扩展串行外设接口工业STT - MRAM持久内存，1.8V、200MHz八进制SPI接口 EM008LXQAB313CS1T TBGA-24(6x8)

扩展串行外设接口工业STT - MRAM持久内存，1.8V、200MHz八进制SPI接口 EM008LXQAB313CS1T TBGA-24(6x8)

型号: EM008LXQAB313CS1T
封装: TBGA-24(6x8)

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1MX16 MRAM，3.3V 电源，35ns 读写周期 MR4A16BCMA35R FBGA-48(10x10)

1MX16 MRAM，3.3V 电源，35ns 读写周期 MR4A16BCMA35R FBGA-48(10x10)

型号: MR4A16BCMA35R
封装: FBGA-48(10x10)

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1 Mb高速Quad SPI MRAM MR10Q010SC SOIC-16

1 Mb高速Quad SPI MRAM MR10Q010SC SOIC-16

型号: MR10Q010SC
封装: SOIC-16

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512K x8 MRAM内存，35ns读写周期，无限读写耐久性，数据非易失 MR2A08AMYS35 TSOP-442

512K x8 MRAM内存，35ns读写周期，无限读写耐久性，数据非易失 MR2A08AMYS35 TSOP-442

型号: MR2A08AMYS35
封装: TSOP-442

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64Kx16 MRAM内存，3.3V电源，35ns读写周期 MR0A16AYS35 TSOP-442

64Kx16 MRAM内存，3.3V电源，35ns读写周期 MR0A16AYS35 TSOP-442

型号: MR0A16AYS35
封装: TSOP-442

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并行磁阻随机存取存储器 M3032316045NX0IBCY FBGA-48(10x10)

并行磁阻随机存取存储器 M3032316045NX0IBCY FBGA-48(10x10)

型号: M3032316045NX0IBCY
封装: FBGA-48(10x10)

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256K x16 MRAM存储器 MR2A16AMA35R FBGA-48(8x8)

256K x16 MRAM存储器 MR2A16AMA35R FBGA-48(8x8)

型号: MR2A16AMA35R
封装: FBGA-48(8x8)

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高性持久内存，支持多种SPI协议 EM016LXOAB320IS1R TBGA-24(6x8)

高性持久内存，支持多种SPI协议 EM016LXOAB320IS1R TBGA-24(6x8)

型号: EM016LXOAB320IS1R
封装: TBGA-24(6x8)

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32Kx8 MRAM 3.3V 电源快速读写周期 SRAM 兼容时序 MR256A08BMA35 FBGA-48(8x8)

32Kx8 MRAM 3.3V 电源快速读写周期 SRAM 兼容时序 MR256A08BMA35 FBGA-48(8x8)

型号: MR256A08BMA35
封装: FBGA-48(8x8)

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256Mb HyperRAM W958D8NBYA4I TFBGA-24(6x8)

256Mb HyperRAM W958D8NBYA4I TFBGA-24(6x8)

型号: W958D8NBYA4I
封装: TFBGA-24(6x8)

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1Gb非易失性ST-DDR4自旋转移矩MRAM EMD4E001G16G2 BGA-96(10x13)

1Gb非易失性ST-DDR4自旋转移矩MRAM EMD4E001G16G2 BGA-96(10x13)

型号: EMD4E001G16G2-150CAS2
封装: BGA-96(10x13)

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32Kx8 MRAM，支持宽 I/O 电压范围和快速读写周期 MR256DL08BMA45R FBGA-48(8x8)

32Kx8 MRAM，支持宽 I/O 电压范围和快速读写周期 MR256DL08BMA45R FBGA-48(8x8)

型号: MR256DL08BMA45R
封装: FBGA-48(8x8)

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