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随机存取存储器(RAM)
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并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316035NX0IBCR
- 型号
- M3004316035NX0IBCR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316035NX0ITAR TSOPII-44
- 型号
- M3004316035NX0ITAR
- 封装
- TSOPII-44
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316035NX0ITAY TSOPII-44
- 型号
- M3004316035NX0ITAY
- 封装
- TSOPII-44
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316035NX0ITBR
- 型号
- M3004316035NX0ITBR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316035NX0ITBY
- 型号
- M3004316035NX0ITBY
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316035NX0PBCR
- 型号
- M3004316035NX0PBCR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316035NX0PBCY
- 型号
- M3004316035NX0PBCY
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316035NX0PTAR TSOPII-44
- 型号
- M3004316035NX0PTAR
- 封装
- TSOPII-44
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316035NX0PTAY TSOPII-44
- 型号
- M3004316035NX0PTAY
- 封装
- TSOPII-44
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316035NX0PTBR
- 型号
- M3004316035NX0PTBR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316035NX0PTBY
- 型号
- M3004316035NX0PTBY
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316045NX0IBCR
- 型号
- M3004316045NX0IBCR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316045NX0ITAR TSOPII-44
- 型号
- M3004316045NX0ITAR
- 封装
- TSOPII-44
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316045NX0ITAY TSOPII-44
- 型号
- M3004316045NX0ITAY
- 封装
- TSOPII-44
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316045NX0ITBR
- 型号
- M3004316045NX0ITBR
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316045NX0ITBY
- 型号
- M3004316045NX0ITBY
- 封装
- -
并行磁阻随机存取存储器，40nm pMTJ STT - MRAM技术，4Mbit - 32Mbit，多种封装 M3004316045NX0PBCR
- 型号
- M3004316045NX0PBCR
- 封装
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