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晶闸管(可控硅)/模块
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NPNPN 五层結構的硅双向器件,采用單面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.這款器件具備出色的阻断電壓和温度穩定性,可靠性高. HX26 TO-3P
- 型號
- HX26-600-T
- 封裝
- TO-3P
NPNPN 五层結構的硅双向器件,采用單面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.這款器件具備出色的阻断電壓和温度穩定性,可靠性高. HX26 TO-3P
- 型號
- HX26-800-T
- 封裝
- TO-3P
NPNPN 五层結構的硅双向器件,采用單面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.這款器件具備出色的阻断電壓和温度穩定性,可靠性高. HX41 TO-3P
- 型號
- HX41-600-T
- 封裝
- TO-3P
NPNPN 五层結構的硅双向器件,采用單面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.這款器件具備出色的阻断電壓和温度穩定性,可靠性高. HX41 TO-3P
- 型號
- HX41-800-T
- 封裝
- TO-3P