晶闸管(可控硅)/模块

MT200CB12T2

型号

MT200CB12T2

封装

T2

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MT200DT08L2

型号

MT200DT08L2

封装

L2

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MT200U16T2

型号

MT200U16T2

封装

T2

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MT60CB12T1

型号

MT60CB12T1

封装

T1

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MT90C18T1

型号

MT90C18T1

封装

T1

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600V 15mA BT136D TO-252

型号

BT136D-600E

封装

TO-252

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600V 30mA BT138 TO-220C

型号

BT138-600E

封装

TO-220C

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800V BT138 TO-220C

型号

BT138-800E

封装

TO-220C

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800V BT139Q TO-263

型号

BT139Q-800E

封装

TO-263

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可控硅整流器 BT169 SOT-89

型号

BT169

封装

SOT-89

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800V 40mA BTA06 TO-220A

型号

BTA06-800CW

封装

TO-220A

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1.6kV 100mA BTA41 TO-3P

型号

BTA41-800BW

封装

TO-3P

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1个双向可控硅 800V 60mA BTB04 TO-220B

型号

BTB04-800BW

封装

TO-220B

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可控硅整流器 MCR100 SOT-89

型号

MCR100-8

封装

SOT-89

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1个双向可控硅 800V 10mA BT138S TO-251

型号

BT138S-800D

封装

TO-251

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600V 35mA BT138S TO-252

型号

BT138S-600E

封装

TO-252

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电压：600V 电流：3A BT136S TO-252-2L

型号

BT136S

封装

TO-252-2L

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4件套 1.6kV SKKT106

型号

SKKT106/16E

封装

-

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1个双向可控硅 800V 60mA BT138D TO-252

型号

BT138D-800E

封装

TO-252

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双向晶闸管 BT139D TO-252

型号

BT139D-800E

封装

TO-252

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NPNPN 五层结构的硅双向器件,采用单面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.这款器件具备出色的阻断电压和温度稳定性,可靠性高. HX26 TO-3P

型号

HX26-600-T

封装

TO-3P

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NPNPN 五层结构的硅双向器件,采用单面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.这款器件具备出色的阻断电压和温度稳定性,可靠性高. HX26 TO-3P

型号

HX26-800-T

封装

TO-3P

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NPNPN 五层结构的硅双向器件,采用单面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.这款器件具备出色的阻断电压和温度稳定性,可靠性高. HX41 TO-3P

型号

HX41-600-T

封装

TO-3P

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NPNPN 五层结构的硅双向器件,采用单面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.这款器件具备出色的阻断电压和温度稳定性,可靠性高. HX41 TO-3P

型号

HX41-800-T

封装

TO-3P

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