WMSIC Электронные компоненты

Синий ROCKET S8550M-D

МодельS8550M-D
КорпусSOT-23
БрендBLUE ROCKET
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 24+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
BLUE ROCKET S8550M-D
Тип
BLUE ROCKET
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
BLUE ROCKET
Модель
S8550M-D
Шаг
1
Корпус
SOT-23
Количество
1 PNP
Категория
Транзистор (BJT)
Вес
0.03g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0226538851
Тип транзистора
PNP
Граничная частота (fT)
200MHz
Рассеиваемая мощность (Pd)
200mW
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
3000
Ток коллектора (Ic)
800mA

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

S8550M-D Обзор продукта
I. Обзор продукта
S8550M-D — PNP биполярный транзистор (обычный биполярный транзистор), корпус SOT-23, подходит для низковольтных переключающих и усилительных применений со средним током. Напряжение пробоя прибора 25 В, максимальный ток коллектора до 800 мА (необходимо учитывать рассеивающую способность корпуса), при рабочей точке 100 мА коэффициент усиления по постоянному току (hFE) достигает 160 (VCE=1 В), хорошо подходит для портативных схем и схем с ограниченным пространством.
II. Основные параметры
Тип транзистора: PNP (одиночный прибор, количество: 1)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 25 В
Максимальный ток коллектора Ic: 800 мА (импульсный или кратковременный может быть выше, длительная работа должна ограничиваться тепловым рассеянием)
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 160 (Ic=100 мА, VCE=1 В)
Ток отсечки коллектора Icbo: 100 нА
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 6 В
Граничная частота fT: 200 МГц (хорошие высокочастотные характеристики)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): 600 мВ (условия измерения: Ic=500 мА или Ic=50 мА, подробности см. в полном техническом описании)
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 200 мВт (тепловое ограничение малого корпуса SOT-23, следует учитывать управление мощностью)
Корпус: SOT-23 (поверхностный монтаж)
III. Ключевые особенности
Высокий коэффициент усиления по току: при средней рабочей точке (100 мА) hFE≈160, удобно для использования в качестве усилительного или драйверного каскада, позволяет снизить требуемый ток управления базы.
Высокочастотные характеристики: fT≈200 МГц, подходит для переключающих или усилительных применений, требующих быстродействия.
Малый ток утечки: Icbo≈100 нА, благоприятно для контроля статического потребления и стабильности схем с высоким сопротивлением.
Малогабаритный корпус: SOT-23 удобен для плотной поверхностной компоновки, но из-за большого теплового сопротивления необходимо учитывать тепловой режим.
IV. Типовые применения
Верхний (high-side) ключ и драйвер в низковольтных системах питания или сигналов.
PNP усилитель/элемент смещения в аудиопредусилителе или схеме усиления малых сигналов.
В паре с комплементарным NPN прибором для двухтактного выходного или компенсационного каскада.
Портативные устройства, потребительская электроника, управление индикаторами, кратковременное управление малыми двигателями постоянного тока/исполнительными механизмами (учитывать тепловые ограничения).
V. Корпус и тепловой режим
Малый корпус SOT-23 подходит для поверхностного монтажа, но имеет большое тепловое сопротивление, максимальная рассеиваемая мощность прибора 200 мВт. При токе выше примерно 100 мА следует:
Уменьшать стационарную рассеиваемую мощность на приборе (снижать VCE или использовать импульсное управление).
В конструкции PCB обеспечивать как можно большую медную площадь для выводов прибора и тепловых площадок для улучшения отвода тепла.
Рассмотреть параллельное включение приборов или использование более крупного корпуса (если позволяет система) для распределения теплового потока.
VI. Меры предосторожности
Рабочее напряжение не должно превышать Vceo=25 В, напряжение база-эмиттер не должно превышать Vebo=6 В.
Хотя максимальный Ic заявлен 800 мА, длительный продолжительный большой ток ограничивается Pd и тепловым сопротивлением, проектирование следует вести исходя из теплового баланса.
VCE(sat) при большом токе может достигать нескольких сотен милливольт, при фактическом управлении нагрузкой необходимо учитывать влияние падения напряжения.
Расположение выводов и маркировка корпуса могут различаться у разных производителей, перед практическим применением обратитесь к полному техническому описанию и чертежу корпуса BLUE ROCKET для подтверждения определения выводов и условий измерения.
VII. Рекомендации по закупке и выбору
S8550M-D подходит для низковольтных схем, требующих малого размера, относительно высокого усиления и рабочего напряжения не более 25 В. При выборе следует оценить:
Фактическую среднюю рассеиваемую мощность и амплитуду импульсов, чтобы обеспечить работу в пределах теплоёмкости SOT-23;
Нужны ли альтернативы с большей мощностью или меньшим напряжением насыщения для удовлетворения требований эффективности системы;
Нужен ли комплементарный NPN прибор для реализации комплементарной схемы.
При необходимости тестирования образцов или получения дополнительной информации о характеристиках прибора (полные электрические таблицы, температурные характеристики, схема выводов) рекомендуется запросить официальное техническое описание BLUE ROCKET для получения подробных параметров и типовых схем.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.