WMSIC Электронные компоненты

Синий ROCKET 2SD882-P

Модель2SD882-P
КорпусTO-126F-3
БрендBLUE ROCKET
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 25+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
BLUE ROCKET 2SD882-P
Тип
BLUE ROCKET
Минимальная упаковка
500 袋

Технические параметры

Упаковка
Пакет
Бренд
BLUE ROCKET
Модель
2SD882-P
Шаг
1
Корпус
TO-126F-3
Количество
1 NPN
Категория
Транзистор (BJT)
Вес
0.812g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0257505419
Тип транзистора
NPN
Граничная частота (fT)
90MHz
Рассеиваемая мощность (Pd)
10W
Минимальная упаковочная единица
Пакет
Минимальное количество в упаковке
500
Ток коллектора (Ic)
3A

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

2SD882-P Обзор продукта
I. Обзор
2SD882-P — это универсальный NPN мощный транзистор в корпусе TO-126F-3, бренд BLUE ROCKET. Прибор подходит для коммутации и усиления при среднем и низком напряжении и среднем токе, сочетая хорошую способность усиления по току и достаточно высокую граничную частоту, что удобно для использования в усилителях мощности, драйверных каскадах и коммутационных схемах.
II. Основные параметры
Тип транзистора: NPN
Ток коллектора Ic: 3 A (макс.)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 30 V (Vcbo=40 V)
Рассеиваемая мощность Pd: при стандартных тепловых условиях корпуса обычно Pc≈1 W (TO-126, без радиатора); при хорошем охлаждении системная максимальная рассеиваемая мощность может быть выше (в документации указано 10 W, ориентируйтесь на фактический даташит прибора)
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: около 160 (условия измерения: Ic=1 A, Vce=2 V)
Граничная частота fT: около 90 MHz
Ток отсечки коллектора Icbo: около 1 µA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): типично около 0.5 V (измерено при большом токе, например Ic=2 A)
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 5 V
Корпус: TO-126F-3
Количество: 1 шт.
(Примечание: таблица выше обобщает предоставленные параметры; различные условия измерения и тепловые условия корпуса влияют на номинальную рассеиваемую мощность и нагрев, перед использованием рекомендуется обратиться к полному даташиту.)
III. Основные характеристики и преимущества
Низкое напряжение насыщения: при большом токе коллектора сохраняется VCE(sat) около 0.5 V, что способствует снижению потерь переключения.
Высокий коэффициент усиления: вблизи рабочей точки 1 A hFE≈160, что позволяет легко получить требуемое усиление в драйверном каскаде или маломощном усилителе и снизить требуемый ток базы.
Относительно высокая частотная характеристика: fT≈90 MHz, подходит для обычного аудио- и низкочастотного/среднечастотного усиления и переключения сигналов.
Низкий ток утечки: Icbo≈1 µA, что способствует повышению точности в статическом режиме и надежности применений с низким током утечки.
IV. Типичные применения
Схемы коммутации низкой и средней мощности (управление реле/малыми двигателями)
Предварительный или компенсационный каскад аудиоусилителя мощности
Вспомогательный коммутационный/стабилизирующий элемент в управлении питанием
Универсальные драйверные и буферные схемы
V. Тепловое управление и меры предосторожности
Номинальная рассеиваемая мощность корпуса TO-126 без дополнительного охлаждения обычно ограничена (типично Pc≈1 W); для длительной работы вблизи максимального Ic (3 A) необходимо обеспечить хорошее охлаждение или установить прибор на подходящий радиатор.
Обратное напряжение пробоя эмиттер-база Vebo≈5 V, запрещается превышать это значение при обратном Vbe во избежание повреждения перехода.
В коммутационных применениях следует обращать внимание на ограничение тока базы и защиту (внешний резистор базы, демпфирующая цепь или защитный диод Шоттки) для предотвращения перегрузки по току или импульсных воздействий.
Перед проектированием рекомендуется ознакомиться с полным даташитом производителя, чтобы уточнить цоколевку, абсолютные максимальные значения и параметры теплового сопротивления.
VI. Рекомендации по замене и выбору
Если требуется более высокая рассеиваемая мощность или больший запас по напряжению, можно рассмотреть аналогичные NPN мощные транзисторы в более крупном корпусе с более высоким Pd; если требуется более высокая частота или более низкое VCE(sat), можно поискать низконасыщенные быстродействующие аналоги. При выборе ориентируйтесь в первую очередь на максимальный рабочий ток, условия охлаждения и запас безопасности, при необходимости проводите тепловое моделирование и проверку измерениями.
Если нужна помощь в проверке конкретного даташита (включая определение выводов и параметры теплового сопротивления) или рекомендации по драйверу/охлаждению для конкретной схемы, предоставьте рабочую точку схемы и условия охлаждения.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.