cjiang FNR5020S4R7MT

FNR5020S4R7MT Обзор продукта
I. Введение
FNR5020S4R7MT — это поверхностно-монтируемый магнитногелевый экранированный силовой индуктор, выпущенный cjiang, размер корпуса 5×5 мм, индуктивность 4,7 мкГн (точность ±20%), предназначен для импульсных источников питания средней мощности и фильтрации тока. Прибор имеет магнитногелевую экранированную конструкцию, малый поток рассеяния, высокую помехоустойчивость, удобен для применения в системах с ограниченным пространством и повышенными требованиями к EMC.
II. Основные электрические параметры
Индуктивность: 4,7 мкГн ±20%
Номинальный ток (Ir): 2,4 А (рабочий ток, при котором возможна длительная работа с контролируемым нагревом)
Ток насыщения (Isat): 2,7 А (справочное значение при снижении индуктивности до определенной доли от начальной)
Сопротивление постоянному току (DCR): около 74 мОм
Тип: магнитногелевый экранированный индуктор (SMD)
Корпус: 5020 (5,0 × 5,0 мм)
III. Особенности
Хорошая токовая нагрузка: номинальный ток 2,4 А подходит для понижающих модулей средней мощности и выходной фильтрации питания.
Высокий запас насыщения: Isat 2,7 А обеспечивает защитный запас при переходных импульсах тока.
Экранированная конструкция: снижает магнитные помехи на окружающие цепи, способствует выполнению требований EMI.
Корпус SMD: подходит для автоматического монтажа и оплавления, удобен для массового производства.
Низкие потери в диапазоне от низких до средних частот, подходит для DC-DC понижения, повышения и фильтрации тока.
IV. Типовые применения
Выходной индуктор импульсных источников питания (синхронное/несинхронное понижение)
Модульные источники питания и блоки управления питанием (PMU)
Выходная фильтрация и накопление энергии в мобильных устройствах, промышленном управлении и телекоммуникационном оборудовании
Светодиодные драйверы и автомобильная электроника (в зависимости от требований к температуре и надежности)
V. Рекомендации по проектированию и применению
Теплоотвод: при работе вблизи номинального тока следить за охлаждением PCB, избегать длительной работы при высокой температуре, вызывающей чрезмерные потери из-за DCR.
Запас насыщения: при проектировании учитывать, что пиковый ток переходного процесса не должен превышать Isat, чтобы резкое снижение индуктивности не нарушило стабильность системы.
Компоновка: индуктор следует размещать как можно ближе к коммутационным элементам и конденсаторам, входные и выходные цепи должны быть минимальной длины, чтобы уменьшить площадь контура и EMI.
Оплавление: соблюдать рекомендованный производителем температурный профиль оплавления и условия хранения, избегать длительного воздействия высокой температуры и влажности.
VI. Выбор и замена
При выборе обращать внимание на индуктивность и допуск, номинальный ток и ток насыщения, влияние DCR на эффективность и ограничения по размерам. При необходимости более высокого тока или более низкого DCR можно рассмотреть силовой индуктор того же или большего размера; при более высоких требованиях к точности можно выбрать модели с ±10% или ±5%.
Для получения образцов, подробного чертежа корпуса или более конкретных кривых электрических характеристик (например, частотной характеристики, кривой нагрева, характеристики магнитного насыщения) рекомендуется связаться с поставщиком или обратиться к даташиту для получения полных параметров и рекомендуемых размеров корпуса.