Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
Available for RFQ
Технические данные
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
BC847A (DIOTEC) Обзор продукта
I. Введение в продукт
BC847A — это универсальный NPN биполярный транзистор бренда DIOTEC в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23. Прибор оптимизирован для малосигнального усиления и переключения, сочетает высокий коэффициент усиления по току и относительно быстрый частотный отклик, подходит для портативных и пространственно ограниченных электронных устройств.
II. Основные электрические параметры
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 800 (типичное, Ic=2 мА, VCE=5 В)
Максимальный ток коллектора Ic: 100 мА
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер VCEo: 45 В
Ток отсечки коллектор-эмиттер Icbo: 5 мкА (типичный, слабый ток утечки)
Рассеиваемая мощность Pd: 250 мВт (необходимо учитывать ограничение отвода тепла корпусом)
Граничная частота fT: 300 МГц (отличные высокочастотные характеристики)
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 5 В (обращать внимание на ограничение обратного напряжения база-эмиттер)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): около 200 мВ (типичное, Ic=100 мА, Ib=5 мА)
III. Характеристики и преимущества
Высокий коэффициент усиления по току: при низкой рабочей точке (около 2 мА) показывает высокий hFE, что облегчает реализацию усилителя с высоким усилением или снижение тока смещения базы.
Низкое напряжение насыщения: низкое VCE(sat), подходит для переключательных применений с требованием низких потерь проводимости.
Широкий температурный диапазон: рабочая температура -55 °C … +150 °C подходит для промышленного применения.
Хорошие высокочастотные характеристики: fT≈300 МГц, подходит для высокочастотного малосигнального усиления или управления.
Малый корпус для поверхностного монтажа: SOT-23 занимает малую площадь, подходит для высокоплотной компоновки PCB.
IV. Типичные области применения
Малосигнальные усилители (предварительный усилитель, дифференциальный усилитель и т.д.)
Преобразование уровня и буферное управление (переключение средней и низкой мощности)
Аналоговые ключи, схемы управления импульсами
Высокочастотное усиление и радиочастотный входной каскад (ограничено мощностью и условиями согласования)
Универсальное усиление/переключение в портативных и потребительских электронных устройствах
V. Рекомендации по проектированию и использованию
Мощность и управление теплом: Pd=250 мВт — верхний предел рассеивания прибора; способность отвода тепла SOT-23 ограничена, рекомендуется оставлять запас при непрерывной работе, при необходимости снижать ток коллектора или использовать медные тепловые зоны PCB для охлаждения.
Баланс тока и усиления: высокий hFE заметен при низком токе, с увеличением Ic усиление падает. Для стабильного усиления необходимо правильно смещать в схеме и учитывать влияние температурного дрейфа.
Проектирование насыщенного управления: при использовании для переключения убедиться, что ток управления базы достаточен (например, в типичных параметрах Ib≈5 мА соответствует Ic 100 мА для достижения низкого VCE(sat)).
Защита от предельного напряжения: обратное напряжение база-эмиттер Vebo≈5 В, избегать подачи слишком высокого обратного напряжения в схеме, которое может привести к повреждению; VCEo=45 В, необходимо гарантировать, что переключение или переходные процессы не превысят это значение.
Внимание к току утечки: Icbo≈5 мкА в высокоимпедансных схемах или при высокой температуре может повлиять на точность смещения; при проектировании цепи смещения следует учитывать влияние тока утечки на статическую точку.
VI. Корпус и внимание при выборе
SOT-23 для поверхностного монтажа подходит для автоматизированного производства и пространственно ограниченных случаев. При выборе следует комплексно учитывать рабочий ток, мощность, частотные требования и условия охлаждения; при необходимости большей мощности или более высокого тока следует рассмотреть более крупный корпус или мощный транзистор. При покупке убедиться в соответствии модели, партии и конкретных параметров поставщика, а также обратиться к подробному техническому описанию прибора для получения полных предельных значений и типичных характеристических кривых.
Запрос котировки
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары