DIOTEC 2N5551

2N5551 Обзор продукта
I. Введение в продукт
2N5551 — это высоковольтный NPN малосигнальный транзистор, серийно выпускаемый DIOTEC, обычно в корпусе TO-92. Прибор предназначен для случаев, требующих относительно высокого напряжения коллектор-эмиттер, умеренной токовой способности и хорошего частотного отклика, подходит для переключения, усиления и управления. Количество приборов: один (1 NPN).
II. Основные электрические характеристики
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 250 (при Ic=10 мА, VCE=5 В);
Граничная частота fT: 300 МГц, подходит для высокочастотного входного каскада или широкополосного усиления;
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер VCEo: 160 В, отличная стойкость к напряжению;
Номинальный ток коллектора Ic: 600 мА (обратить внимание, что это переходное или максимальное значение; непрерывная работа требует учёта теплового проектирования);
Рассеиваемая мощность коллектора Pd: 625 мВт (корпус TO-92 ограничен охлаждением);
Ток отсечки коллектора Icbo: 50 нА (низкая утечка, удобно для высокоимпедансных схем);
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 6 В; напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): около 200 мВ;
Диапазон рабочей температуры перехода: -55 °C … +150 °C (номинальное Tj).
III. Типичные области применения
Малосигнальные усилители: благодаря относительно высокому hFE и fT 300 МГц может использоваться в качестве аудио предварительного каскада, VHF предварительного усилителя;
Управление переключением: VCEo=160 В и низкое VCE(sat) делают его подходящим для маломощного переключения и управления малыми реле, герконами;
Универсальные электронные схемы: формирование сигнала, преобразование уровня и входные каскады датчиков показывают хорошие результаты.
IV. Меры предосторожности при использовании и проектировании
Мощность и охлаждение: корпус TO-92 Pd=625 мВт; в реальных применениях следует ограничивать ток коллектора и VCE, чтобы не превысить температуру перехода; при длительной работе с относительно большим током рекомендуется добавить охлаждение или выбрать более крупный корпус;
Область безопасной работы (SOA): по возможности избегать одновременного наличия высокого VCE и высокого Ic; короткие импульсы допускают более высокий ток, но необходимо проверять долговечность термоциклов;
Защита базы: Vebo=6 В, обратное напряжение база-эмиттер чувствительно, избегать превышения этого значения; также рассмотреть последовательное токоограничивающее сопротивление для предотвращения перегрузки по току;
Электростатическая защита и монтаж: выводы TO-92 тонкие и длинные, при пайке тепло концентрируется; рекомендуется быстрая пайка и внимание к антистатической защите.
V. Справочник по выбору
Когда схема требует высокого напряжения (≈160 В), умеренно высокого усиления, малого размера и низкой стоимости, 2N5551 является подходящим выбором; если требуется большая непрерывная мощность или более высокий ток, рассмотреть более крупный корпус или мощный транзистор; если акцент на сверхнизком шуме или очень высокой частоте, можно сравнить параметры специализированных низкошумовых/радиочастотных транзисторов и заменить.