MSKSEMI AON6407-MS AON6407

AON6407-MS — обзор продукта

Описание
AON6407-MS — силовой MOSFET с P-каналом и номинальным напряжением сток–исток Vdss 30V. Предназначен для высокобоковой коммутации низкого и среднего напряжения, а также управления цепями питания. При |Vgs|≈4.5V обеспечивает низкое сопротивление открытого канала.

Основные характеристики
Напряжение сток–исток: 30V
Непрерывный ток стока: 100A (предельное значение для компонента; фактическая способность зависит от теплоотвода корпуса и разводки PCB)
Сопротивление открытого канала: 6mΩ @ |Vgs|=4.5V (при испытательном токе 15A)
Пороговое напряжение: Vgs(th) ≈ 2.5V (условие измерения 250µA)
Полный заряд затвора Qg: 60nC @10V
Входная ёмкость Ciss: 3.45nF
Crss: 140pF
Coss: 255pF
Рассеиваемая мощность Pd: 120W (при достаточном теплоотводе)
Рабочая температура: -55℃ ~ +150℃
Корпус: DFN5x6-8L

Типичные области применения
Высокобоковая коммутация и переключение питания в аккумуляторных системах.

Изоляция нагрузки и управление энергопотреблением портативного и коммуникационного оборудования.

Защита от обратного тока с реализацией идеального диода на замену диоду Шоттки.

Распределение питания и ограничение тока короткого замыкания при использовании совместно с цепью ограничения тока.

Особенности управления и коммутации
Для открытия P-канального транзистора требуется отрицательное Vgs относительно истока; при |Vgs|≈4.5V достигается заявленное значение Rds(on). Значения Qg=60nC и Ciss=3.45nF указывают на значительную ёмкость затвора, поэтому требования к скорости управления и току драйвера повышены. Рекомендуется использовать драйвер с достаточным пиковым током либо последовательно включить в цепь затвора резистор 10~47Ω для контроля dv/dt и звона. Crss (140pF) влияет на потери при переключении и поведение обратного тока; при быстром переключении учитывайте пути возврата и поглощения энергии.

Корпус и теплоотвод
Корпус DFN5x6-8L подходит для компактных устройств. Теплоотвод зависит от площади медных полигонов PCB и тепловых переходных отверстий, соединённых с нижней теплоотводящей площадкой. Используйте медные слои на нижней стороне PCB и тепловые переходные отверстия для соединения с внутренними и нижними теплоотводящими плоскостями. Предусмотрите достаточную площадь контактной площадки и применяйте теплоотводящую площадку при пайке. В схемах с большим током оцените нагрев и при необходимости уменьшите коэффициент заполнения или включите компоненты параллельно.

Рекомендации по применению
Значение 100A является предельной или кратковременной характеристикой. Допустимый непрерывный ток зависит от теплоотвода PCB и температуры окружающей среды; при проектировании учитывайте тепловое сопротивление и SOA.

Управляющее напряжение затвора должно соответствовать полным электрическим характеристикам компонента, чтобы не превысить допустимое Vgs.

При высокоскоростной коммутации учитывайте EMI, импульсный ток и выбор цепей ограничения выбросов (демпфирующий резистор, RC или TVS).