Sunlord MPL1608S1R0MHT

MPL1608S1R0MHT — описание изделия

Основные параметры
Модель: MPL1608S1R0MHT (Sunlord)
Тип: многослойный чип-индуктор
Индуктивность: 1.0 μH
Допуск: ±20%
Номинальный ток: 950 mA
Сопротивление постоянному току (DCR): 200 mΩ
Частота собственного резонанса (SRF): около 75 MHz
Корпус: 0603 (1608 по метрической системе)
Монтаж: поверхностный, SMT

Особенности
Компактный корпус 0603 подходит для плат с высокой плотностью монтажа и устройств с ограниченным пространством. Индуктивность 1 μH ±20% подходит для фильтрации и развязки питания. DCR 200 mΩ может приводить к заметному нагреву при токе, близком к номинальному. При частотах около 75 MHz начинают влиять паразитные емкости.

Оценочные расчеты
Реактивное сопротивление: XL = 2πfL; при f = 1 MHz XL ≈ 6.28 Ω, при f = 10 MHz XL ≈ 62.8 Ω.
Потери при номинальном токе: P = I²·R = (0.95 A)² × 0.2 Ω ≈ 0.18 W (около 180 mW). При длительной работе под высокой нагрузкой требуется учитывать нагрев и запас по току.

Области применения
Фильтрация и развязка входа или выхода понижающих и повышающих DC-DC-преобразователей; подавление EMI в линиях питания и сигнальных линиях; низкочастотная фильтрация в аналоговых и базовых полосовых цепях; портативные устройства, терминалы связи и модули управления питанием.

Рекомендации по монтажу и использованию
Размеры контактных площадок и количество паяльной пасты следует выбирать по рекомендованному посадочному месту корпуса 0603. Для уменьшения площади контура и паразитной индуктивности размещайте индуктор как можно ближе к фильтруемым компонентам.
При пайке оплавлением соблюдайте рекомендованный профиль J-STD-020. Для повышения теплоотвода при больших токах можно увеличить толщину медного слоя или число переходных отверстий.
Для снижения нагрева и повышения стабильности индуктивности выбирайте модели с меньшим DCR, большим номинальным током или корпусом большего размера. Для длительной непрерывной работы рекомендуется предусмотреть запас по току около 70%; рекомендуемый непрерывный ток составляет менее 60–80% номинального. В ответственных ВЧ-применениях следует учитывать кривые импеданса и частотные характеристики, а также S-параметры.