TDK MLZ2012M2R2HTD25

MLZ2012M2R2HTD25 — экранированный многослойный чип-индуктор TDK с индуктивностью 2.2µH и допуском ±20%. Корпус 0805 (2012 метрический, около 2.0 × 1.25 mm). Соответствует автомобильному стандарту AEC‑Q200.

Основные параметры:
Индуктивность: 2.2µH (±20%)
Ток насыщения Isat: 400mA
Рекомендуемый длительный ток Irms: около 600mA
Сопротивление постоянному току DCR: около 160mΩ
Экранированная конструкция ограничивает магнитный поток и снижает излучаемые помехи.

Многослойная керамическая конструкция с экранированием имеет малые размеры и контролируемые паразитную емкость и излучение. Предназначен для поверхностного монтажа и скоростной пайки оплавлением. Корпус 0805 подходит для схем фильтрации питания в условиях ограниченного пространства, включая выходы преобразователей DC-DC.

При DCR около 160mΩ и длительном токе 600mA потери в меди составляют примерно P = I²·R ≈ 0.6²×0.16≈0.058W; при токе насыщения 400mA — примерно 0.026W. При проектировании учитывайте снижение индуктивности с ростом тока и его влияние на фильтрацию и накопление энергии.

Типовые применения: фильтрация и развязка питания автомобильной электроники; модули управления питанием мобильной связи и автомобильных информационно-развлекательных систем; выходные фильтры маломощных повышающе-понижающих преобразователей DC-DC; входные фильтры для подавления EMI и улучшения целостности сигнала.

Если рабочий ток приближается к Isat или превышает его, выбирайте спецификацию с более высоким током насыщения. Тепловые потери рассчитывайте по фактическому току с использованием I²·DCR и оценивайте нагрев с учетом теплоотвода печатной платы и температуры окружающей среды. Для проектирования платы и пайки учитывайте температурный профиль пайки оплавлением и рекомендуемые размеры контактных площадок. При высокочастотной фильтрации учитывайте соответствие частоты собственного резонанса (SRF) рабочей полосе частот.