TDK MLF1608DR33JT000

MLF1608DR33JT000 — чип-индуктивность TDK

Индуктивность: 330 nH ±5%.
Номинальный постоянный ток: 100 mA.
Постоянное сопротивление (DCR): 400 mΩ.
Добротность (Q): 15 @ 25 MHz.
Частота собственного резонанса (SRF): 230 MHz.
Корпус: 0603 (1608), поверхностный монтаж.

При 25 MHz добротность составляет около 15. Частота собственного резонанса — 230 MHz; при работе значительно ниже SRF элемент ведет себя как индуктивность. Для уменьшения влияния паразитной емкости рекомендуется выбирать рабочую частоту примерно в 1/3–1/5 от SRF или ниже.

При постоянном сопротивлении 400 mΩ и токе 100 mA падение напряжения составляет около 40 mV, а мощность рассеяния — около 4 mW. Номинальный ток служит ориентиром до заметного снижения индуктивности или насыщения магнитопровода; при проектировании следует предусматривать запас по току.

Типичные области применения: фильтрация и настройка радиочастотных трактов, цепи согласования импеданса, EMI-фильтры, LC-фильтры нижних частот и режекторные фильтры, интерфейсы датчиков, тактовые и промежуточные частотные (IF) цепи, бытовая электроника и носимые устройства.

Элемент совместим с обычной бессвинцовой пайкой оплавлением. Для надежного паяного соединения следует использовать рекомендованные размеры контактных площадок и расположение переходных отверстий. При токе, близком к номинальному или превышающем его, индуктивность может снижаться, а температура — повышаться; рекомендуется запас по току 20–30%. При размещении следует учитывать близость высокочастотных источников сигналов и заземляющего слоя, чтобы уменьшить паразитное влияние. Для очистки следует выбирать совместимые с компонентом средства и флюс, а также соблюдать профиль оплавления.

Элемент подходит для автоматического монтажа и серийного производства. Для оценки надежности в ответственных применениях можно обратиться к полным данным о температурных характеристиках и механических испытаниях.