TDK MLZ2012N4R7LT000

MLZ2012N4R7LT000 — описание

Описание
MLZ2012N4R7LT000 — чип-индуктор TDK с номинальной индуктивностью 4.7 µH и допуском ±20%. Корпус 0805 (метрический размер 2012) подходит для плотного поверхностного монтажа. Компонент предназначен для фильтрации линий, развязки и подавления EMI.

Основные электрические параметры
Номинальная индуктивность: 4.7 µH ±20%
Ток насыщения (Isat): 130 mA
Сопротивление постоянному току (DCR): около 180 mΩ
Номинальный ток: 600 mA
Тип: многослойный керамический чип-индуктор

Isat и номинальный ток задают разные ограничения. Isat характеризует точку заметного снижения индуктивности под воздействием постоянного тока; номинальный ток связан главным образом с допустимым нагревом. При проектировании учитывайте оба параметра.

Физические характеристики и надёжность
Корпус 0805 (около 2.0 × 1.25 mm) подходит для автоматического монтажа и пайки оплавлением.
Многослойная керамическая конструкция отличается компактными размерами.
Компонент подходит для бытовой электроники и промышленного применения. Соблюдайте рекомендованный профиль пайки оплавлением и учитывайте изгиб платы и механические нагрузки.

Особенности характеристик
При постоянном смещении индуктивность многослойного индуктора уменьшается. Isat составляет 130 mA; при приближении к этому значению или его превышении индуктивность заметно снижается. Избегайте длительной работы в этой области смещения.
На высоких частотах импеданс индуктора зависит от частоты и ограничивается паразитной ёмкостью на частоте собственного резонанса. Значения SRF и Q приведены в технической документации производителя.
Рабочая температура и тепловое сопротивление корпуса влияют на допустимый ток и характеристики; оставляйте запас.

Типовые области применения
Фильтрация сигналов связи и низкочастотных сигналов, включая низкочастотные и полосно-заградительные фильтры, развязку и подавление шума.
LC-фильтры в аналоговых и цифровых схемах для очистки питания с учётом влияния постоянного смещения.
Фильтрация питания маломощных устройств при низком токе; при длительном токе, близком к Isat, требуется оценка режима.

Рекомендации по разводке PCB и пайке
Сокращайте длину контура и размещайте компонент рядом с источником шума или линией питания для повышения эффективности фильтрации.
Используйте надёжные контактные площадки, при необходимости предусмотрите переходные отверстия для теплоотвода и соблюдайте рекомендованные размеры площадок и профиль оплавления.
После монтажа избегайте операций с высокой механической нагрузкой вблизи компонента, чтобы предотвратить трещины и отказ.

При выборе модели для длительной работы с током, близким к 130 mA или превышающим это значение, оцените остаточную индуктивность при смещении. Для более высокой индуктивности и тока насыщения рассмотрите силовой индуктор, предназначенный для цепей питания и имеющий более высокие значения Isat/Irms. Окончательные характеристики определяются полной технической документацией производителя; фактические параметры можно проверить на образцах.