TDK MLG1005S3N6BT000

MLG1005S3N6BT000 — высокочастотная многослойная неэкранированная чип-индуктивность TDK.

Основные характеристики
Индуктивность: 3.6 nH (типовое значение; 0.0036 µH).
Номинальный постоянный ток: 700 mA.
Постоянное сопротивление (DCR): около 90 mΩ.
Добротность: Q = 8 при 100 MHz.
Частота собственного резонанса (SRF): около 5 GHz.
Тип: многослойная неэкранированная керамическая индуктивность.
Корпус: 0402 (1005 по метрической системе).

Частотные характеристики
Ниже частоты собственного резонанса, около 5 GHz, компонент ведет себя как индуктивность. С ростом частоты влияние паразитной емкости снижает индуктивность; вблизи SRF возникает резонанс. Добротность около 8 при 100 MHz обеспечивает контролируемые потери при согласовании и фильтрации малых сигналов. Для применения на частотах GHz следует оценивать фазу и вносимые потери по S-параметрам.

Корпус и монтаж
Компактный корпус 0402 экономит площадь платы и требует точного монтажа и пайки. Используйте стандартный процесс пайки оплавлением по температурному профилю производителя; избегайте повторных чрезмерных термических нагрузок. Геометрия контактных площадок должна соответствовать рекомендациям производителя для надежного паяного соединения и механической прочности.

Типичные области применения
• Радиочастотные согласующие цепи в мобильных устройствах, Bluetooth и WLAN.
• Высокочастотные фильтры и резонансные цепи.
• Подавление EMI/EMC и настройка импеданса высокоскоростных сигнальных линий.
• Цепи смещения и дроссели в bias tees.

Рекомендации по проектированию
Постоянное смещение и ток могут снижать индуктивность; для длительной работы рекомендуется снижение номинального тока, например до 70–80%. Для высоких импульсных токов оцените нагрев и надежность.
Неэкранированная конструкция чувствительна к соседним металлическим элементам и дорожкам, которые могут влиять на индуктивность и потери; избегайте близко расположенных сильно связанных компонентов.
Измеряйте S-параметры и кривые L/Q на целевой частоте; при проектировании ориентируйтесь на результаты измерений.
Для уменьшения влияния паразитных параметров сокращайте длину выводов и избегайте лишних переходных отверстий на печатной плате.

Надежность и проверка
После пайки оплавлением в условиях конечного производственного процесса рекомендуется проверить индуктивность, сопротивление и S-параметры, а также провести испытания температурными циклами. Для критичных радиочастотных трактов выполните испытания под напряжением, старение и проверку токовой и мощностной нагрузкой.

Выбор компонента
Для более высокой добротности или экранирования можно рассмотреть индуктивности большего корпуса или экранированные исполнения. Выбор следует основывать на измеренных значениях L, Q и SRF в целевом диапазоне частот, а также на ограничениях платы, тепловых условиях и токовой нагрузке.