TOSHIBA RN1426(TE85L,F)

Цифровой транзистор Toshiba RN1426(TE85L,F)

Основные электрические параметры

Параметры коллектор–эмиттер: напряжение пробоя Vceo — 50V; максимальный ток коллектора Ic — 800mA; рассеиваемая мощность Pd — 200mW.

Коэффициент передачи тока hFE — 90 при Ic=100mA и Vce=1V.

Входные параметры: напряжение пробоя база–эмиттер Vebo — 5V; минимальное входное напряжение включения VI(on) — 2.5V; максимальное входное напряжение выключения VI(off) — 800mV; встроенный входной резистор — 1kΩ, коэффициент сопротивлений — 10.

Корпус и исполнение

Корпус SC-59, размеры около 2.9×1.6×1.1mm, три вывода. Конструкция предназначена для поверхностного монтажа и автоматизированной сборки.

Особенности

Параметры VI(on)=2.5V и VI(off)=800mV позволяют использовать транзистор с логическими уровнями 3.3V/5V. Встроенный входной резистор 1kΩ упрощает подключение. При проектировании учитывайте предел рассеиваемой мощности Pd=200mW и предусмотрите отвод тепла через медные участки печатной платы.

Типовые области применения

Портативная электроника, бытовая техника, системы умного дома, малые сенсорные схемы и вспомогательные цепи коммуникационных модулей. Примеры: управление индикаторами и небольшими реле, обработка сигналов датчиков, управление подсветкой и переключение режимов Bluetooth- и Wi-Fi-модулей.

Рекомендации по применению

Соблюдайте пределы Vceo≤50V, Ic≤800mA и Pd≤200mW. При входном логическом уровне, не соответствующем VI(on)/VI(off), может потребоваться преобразователь уровня. Для замены сопоставьте корпус SC-59, Vceo, Ic и hFE.