TOSHIBA TPN2R203NC,L1Q(M

TPN2R203NC,L1Q(M) — N-канальный силовой MOSFET производства Toshiba для коммутации при низком и среднем напряжении и большом токе. Номинальное напряжение сток–исток составляет 30V, непрерывный ток стока — 45A. Корпус TSON-8 (3.1 × 3.1 mm).

Напряжение сток–исток Vdss: 30V
Непрерывный ток стока Id: 45A
Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 2.2 mΩ @ Vgs=10V, ток измерения 22.5A
Рассеиваемая мощность Pd: 42W
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.3V
Полный заряд затвора Qg: 34 nC @ Vgs=10V
Входная емкость Ciss: 2.23 nF; выходная емкость Coss: 650 pF; емкость обратной передачи Crss: 160 pF.

Низкое RDS(on) снижает потери проводимости. Заряд затвора Qg обеспечивает баланс между возможностями управления и потерями при переключении.

Области применения: синхронные выпрямители и высокоэффективные понижающие DC-DC-преобразователи (Buck); ключи нагрузки и сети распределения питания (PDN); низковольтная коммутация больших токов в автомобильных и промышленных системах; силовые каскады модулей управления питанием, серверов и телекоммуникационного оборудования.

Для теплоотвода рекомендуется предусмотреть на печатной плате медные площадки и тепловые переходные отверстия. Фактический теплоотвод зависит от толщины платы, площади меди и соединения переходными отверстиями.

При напряжении системы, близком к 30V, и возможных импульсных перенапряжениях следует предусмотреть защиту и запас по параметрам. Для получения номинального RDS(on) рекомендуется напряжение затвора около 10V. В высокочастотных схемах следует учитывать потери, связанные с Qg и Coss, а также оптимизировать мертвое время и силу управления.

При проектировании учитывайте переходные процессы включения и выключения, заряд и разряд емкостей, а также звон из-за паразитной индуктивности. Сокращайте длину цепей затвора и истока. Параметры приведены для типовых условий измерения; для проверки характеристик в конкретной системе используйте полный паспорт изделия.