TOSHIBA 2SK209-BL(TE85L,F)

2SK209-BL (TE85L,F)

Описание изделия

2SK209-BL (TE85L,F) — маломощный N-канальный JFET Toshiba для усиления и буферизации малых сигналов с низким уровнем шума. Основные параметры (типовые/номинальные): напряжение отсечки затвор–исток VGS(off) = 1.5V (измерительный ток IG = 100nA); напряжение пробоя затвор–исток Vgss = 50V; рассеиваемая мощность Pd = 150mW; ток сток–исток Idss = 14mA (VDS = 10V); входная ёмкость Ciss = 13pF (VDS = 10V). Корпус SC-59 для поверхностного монтажа.

Значение VGS(off) указано по модулю; полярность и типовой разброс приведены в технической документации. Для N-канального прибора напряжение отсечки обычно задаётся отрицательным напряжением затвора.

Основные особенности

Высокое входное сопротивление и малый ток утечки затвора подходят для буферных каскадов и предварительных усилителей.
Низкая входная ёмкость Ciss ≈ 13pF слабо влияет на высокочастотный отклик и подходит для широкополосной обработки малых сигналов и радиочастотных входных каскадов.
Ток Idss ≈ 14mA@10V позволяет получить рабочий ток в несколько миллиампер при низком напряжении.
Рассеиваемая мощность составляет 150mW.
Напряжение пробоя затвор–исток составляет 50V.

Типовые области применения

Малошумящий предварительный усилитель для микрофонных и сенсорных входов.
Буферизация и преобразование импеданса в схеме с общим стоком.
Простые источники постоянного тока и цепи смещения.
Аналоговые ключи, смесители и дифференциальные каскады для малых сигналов.
Портативные устройства и компактные схемы поверхностного монтажа.

Смещение и проектирование

Зависимость Id от Vgs для JFET приближённо описывается уравнением Shockley: Id = Idss × (1 − Vgs/Vp)^2, где Vp — модуль VGS(off). Учитывайте разброс Idss и VGS(off); для повышения стабильности применяйте автосмещение с резистором в истоке или смещение с отрицательной обратной связью. Рассчитайте температуру перехода и оставьте запас относительно предельной мощности 150mW, особенно при высокой температуре окружающей среды и отсутствии теплоотвода.

Корпус, теплоотвод и обращение

Компактный корпус SC-59 подходит для поверхностного монтажа и пайки оплавлением. Учитывайте теплоотвод от выводов и площадь медных участков платы. JFET чувствителен к электростатическому разряду; при пайке, испытаниях и сборке соблюдайте меры защиты от ESD.

2SK209-BL подходит для аналоговых входных каскадов и буферов, где требуются низкий уровень шума, малая входная ёмкость и небольшая рассеиваемая мощность. Электрические характеристики и механические размеры корпуса приведены в технической документации Toshiba. Для определения оптимального смещения и стабильности выполните отбор компонентов и моделирование.