VBsemi NTR4502PT1G-VB

NTR4502PT1G-VB — малогабаритный силовой MOSFET с P-каналом в корпусе SOT-23 (TO-236), предназначенный для портативных источников питания, высокобокового переключения нагрузки и управления силовыми цепями. При напряжении сток-исток 30V обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и умеренные характеристики переключения.

Основные характеристики: P-канальный MOSFET; напряжение сток-исток Vdss = 30V; непрерывный ток стока Id = 5.6A; RDS(on) = 46 mΩ @ VGS = -10V; пороговое напряжение VGS(th) ≈ 0.5V (типичное); суммарный заряд затвора Qg = 24 nC @ 10V; входная емкость Ciss = 1.295 nF; выходная емкость Coss = 150 pF; емкость обратной передачи Crss = 130 pF; рассеиваемая мощность Pd = 1.6W; рабочая температура перехода Tj = -55℃ ~ +150℃; корпус SOT-23.

Пороговое напряжение соответствует началу проводимости и не является рабочей точкой с низкими потерями. Номинальный ток зависит от теплоотвода печатной платы. Умеренный Qg подходит для большинства драйверов и MCU при учете полярности и амплитуды управления.

Типичные применения: высокобоковое переключение и управление питанием от аккумулятора; переключение нагрузки в портативных устройствах; защита от обратного тока и замена идеального диода; переключение питания в маломощных системах; высокобоковой ключ или синхронный выпрямитель в малогабаритных DC-DC-преобразователях.

Для включения P-канального MOSFET требуется отрицательное VGS: напряжение затвора должно быть ниже напряжения истока. Для выключения затвор подтягивают к напряжению истока. RDS(on) указан при VGS = -10V; при напряжении управления -4.5V или -6V сопротивление открытого канала возрастает, поэтому следует оценить потери по характеристикам для фактического VGS. Последовательный резистор затвора 10-100Ω помогает подавить звон и ограничить пиковый ток; подтягивающий резистор обеспечивает безопасное состояние по умолчанию. При высокочастотном переключении учитывайте затраты энергии на управление Qg и Ciss.

Корпус SOT-23 компактен и обладает ограниченными возможностями теплоотвода. Фактическая мощность зависит от условий платы; для улучшения теплоотвода увеличьте площадь меди и примените тепловые переходные отверстия. В приложениях с большим током расширьте медь контактных площадок истока и стока, сократите длину проводников и используйте переходные отверстия для теплоотвода.

Для систем с напряжением истока, близким к высокому напряжению, например 12-24V в автомобильных или промышленных системах, проверьте запас по Vdss 30V с учетом выбросов и переходных процессов. При необходимости применяйте TVS или компонент с более высоким Vdss. При длительной работе с большим током оцените переходный и установившийся нагрев. Соблюдайте полярность устройства и ориентацию корпуса SOT-23 на плате.