VBsemi NTR4503NT1G-VB

NTR4503NT1G-VB — N-канальный силовой MOSFET в компактном корпусе SOT-23-3 для коммутации и управления нагрузкой в условиях ограниченного пространства. Номинальное напряжение сток–исток Vdss составляет 30 V, непрерывный ток стока Id — 6.5 A. При типовом управлении затвором устройство имеет низкое сопротивление открытого канала и небольшой заряд затвора; подходит для импульсных источников питания низкого и среднего тока, ключей нагрузки и схем управления питанием.

Основные электрические параметры:
Тип: N-канальный MOSFET, корпус SOT-23-3
Напряжение сток–исток Vdss: 30 V
Непрерывный ток стока Id: 6.5 A; фактическое значение зависит от теплоотвода корпуса
Сопротивление открытого канала RDS(on): 30 mΩ при Vgs=10 V; 33 mΩ при Vgs=4.5 V
Рассеиваемая мощность Pd: 1.7 W, ориентировочное значение; зависит от теплоотвода печатной платы
Пороговое напряжение Vgs(th): 1.1 V при Ig=250 μA
Полный заряд затвора Qg: 4.5 nC при Vgs=10 V; 2.1 nC при Vgs=4.5 V
Входная ёмкость Ciss: 335 pF
Выходная ёмкость Coss: 45 pF
Ёмкость обратной передачи Crss: 17 pF
Рабочий температурный диапазон: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOT-23-3

Низкое сопротивление открытого канала при управлении 4.5 V позволяет снизить потери проводимости. Небольшой Qg подходит для переключения на средних и высоких частотах. Корпус SOT-23-3 удобен для компактных портативных устройств и плотного монтажа.

Типичные применения: синхронные и асинхронные понижающие DC-DC преобразователи средней и малой мощности; распределение питания и ключи нагрузки; управление аккумулятором и зарядным трактом; коммутация небольших двигателей и реле; управление питанием портативной и коммуникационной аппаратуры.

Тепловое сопротивление корпуса SOT-23 сравнительно высокое. Рассчитывайте допустимый непрерывный ток с учётом площади меди печатной платы и температуры окружающей среды. При Id=6.5 A теоретические потери проводимости I^2·R составляют примерно 1.27 W при RDS(on)=30 mΩ, что близко к Pd или превышает его. Для длительной работы могут потребоваться увеличенная площадь меди, тепловые переходные отверстия или параллельное включение устройств. Для обычной печатной платы без дополнительного теплоотвода рекомендуется непрерывный ток в диапазоне 2–3 A.

При напряжении управления 10 V достигается минимальное RDS(on), равное 30 mΩ; при 4.5 V оно составляет 33 mΩ. Ориентировочная мощность управления затвором рассчитывается как Pgate ≈ Qg·Vgate·fs; например, при 10 V и fs=500 kHz: Pgate ≈ 4.5e-9·10·5e5 = 0.0225 W.

Делайте цепи затвора, истока и управления короткими и прямыми. Последовательный резистор затвора 10–100 Ω можно подобрать для подавления звона и ограничения импульсного тока. Разместите обходной конденсатор рядом с истоком для стабилизации опорного потенциала. В цепях с индуктивной нагрузкой предусмотрите ограничение выбросов напряжения, например с помощью TVS или RC-цепи.

Пороговое напряжение Vgs(th)=1.1 V при 250 μA указывает начало открывания канала и не является напряжением для режима с низкими потерями; для малого RDS(on) используйте управление 4.5 V или 10 V. Допустимый непрерывный ток зависит от теплоотвода корпуса. В высокочастотных схемах учитывайте потери переключения, связанные с Coss, Crss и dv/dt. Размеры площадок и назначение выводов следует сверять с технической документацией и чертежом корпуса.