XNRUSEMI XR60K03F

XR60K03F — двухканальный силовой P-канальный MOSFET в корпусе PDFN-8L (5x6). Содержит два P-канальных транзистора. Предназначен для силовых цепей с высоким током, высокоэффективных линий питания, верхних ключей и отключения нагрузки.

Основные параметры

Напряжение сток–исток (Vdss): 30 V. Непрерывный ток стока (Id): 60 A. Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 7.2 mΩ при Vgs = −10 V. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W. Пороговое напряжение (Vgs(th)): 1.6 V, типовое. Полный заряд затвора (Qg): 30 nC при 15 V. Входная ёмкость (Ciss): 2.396 nF. Выходная ёмкость (Coss): 325 pF. Ёмкость обратной передачи (Crss): 283 pF. Диапазон рабочих температур: −55 ℃ ~ +150 ℃. Корпус: PDFN-8L (5×6).

Низкое RDS(on) уменьшает потери проводимости. Устройство подходит для ключей высокого тока и управления силовыми линиями. Заряд затвора 30 nC обеспечивает компромисс между скоростью переключения и требованиями к драйверу.

Типовые области применения: верхние ключи нагрузки и блокировка обратного тока; синхронные и байпасные ключи преобразователей DC-DC; защита аккумуляторов и переключение питания; автомобильная электроника, оборудование связи и промышленные источники питания.

Тепловые характеристики зависят от площади меди PCB, теплового сопротивления контактной площадки и условий охлаждения. Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение Vgs около −10 V. При проектировании драйвера следует учитывать Qg=30 nC, а при коммутации — влияние Coss и Crss на выбросы напряжения и потери.