XNRUSEMI XR4009S

XR4009S — N-канальный MOSFET с канавочной структурой и высокой плотностью ячеек в корпусе SOP8. Устройство предназначено для синхронных понижающих преобразователей и низковольтных силовых ключей, сочетает низкое сопротивление открытого канала с умеренным зарядом затвора. Подходит для компактных и высокоэффективных схем питания и управления мощностью.

Основные параметры:
Напряжение сток–исток Vdss: 40 V
Непрерывный ток стока Id: 9 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 12 mΩ @ Vgs=10 V
Рассеиваемая мощность Pd: 2 W (зависит от тепловых условий корпуса)
Пороговое напряжение Vgs(th): 1.5 V
Полный заряд затвора Qg: 22.9 nC @ Vgs=20 V
Входная ёмкость Ciss: 964 pF
Ёмкость обратной передачи Crss: 96 pF
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOP8
Количество: 1 N-канальный MOSFET

Низкое RDS(on) 12 mΩ при управлении 10 V уменьшает потери проводимости. Заряд затвора Qg=22.9 nC (20 V) обеспечивает баланс потерь переключения и мощности управления для высокочастотных схем. Канавочная технология с высокой плотностью ячеек снижает сопротивление открытого канала и способствует стабильным тепловым характеристикам.

Типичные области применения: верхний или нижний ключ синхронного понижающего преобразователя, модули питания DC-DC, управление питанием ноутбуков и встраиваемых систем, ключи нагрузки, распределение мощности, приводы двигателей малой и средней мощности, базовые станции связи, адаптеры питания и входные каскады импульсных источников питания (SMPS).

Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором Vgs=10 V. При управлении логическим уровнем, например 5 V, проверьте, соответствуют ли сопротивление открытого канала и потери требованиям системы. Ciss и Qg влияют на переходные потери переключения; используйте подходящий драйвер затвора или буфер, чтобы сократить время переключения и контролировать EMI. Crss (96 pF) вызывает эффект Миллера; учитывайте паразитные параметры контура и устойчивость затвора.

Для корпуса SOP8 указана Pd=2 W при типовых тепловых условиях. В реальной схеме используйте увеличенную площадь меди, тепловые переходные отверстия или радиатор. Рабочее напряжение не должно превышать 40 V; учитывайте выбросы и переходные процессы, предусмотрите запас и защиту, например TVS или RC-снаббер. Перед применением сверьтесь с полной спецификацией и тепловыми и импульсными номиналами, выполнив проверку с учётом реальной разводки PCB и условий охлаждения.