WMSIC Электронные компоненты

XNRUSEMI XR10V03S

МодельXR10V03S
КорпусSOP8
БрендXNRUSEMI
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 23+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
XNRUSEMI XR10V03S
Тип
XNRUSEMI
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
XNRUSEMI
Модель
XR10V03S
Шаг
1
Корпус
SOP8
Количество
2 N-канала
Тип
N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.19g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0264844089
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
3.2W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
3000
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

XR10V03S — двухканальный N-канальный MOSFET с траншейной структурой, корпус SOP-8, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, включая синхронные понижающие преобразователи. При напряжении сток–исток 30V обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и сбалансированные характеристики переключения.

Основные характеристики:
• Тип: двухканальный N-канальный MOSFET, количество: 2.
• Напряжение сток–исток Vdss: 30V.
• Непрерывный ток стока Id: 11.5A.
• Сопротивление открытого канала RDS(on): 13mΩ @ Vgs=10V.
• Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5V.
• Полный заряд затвора Qg: 15nC @ Vgs=10V.
• Входная емкость Ciss: 633pF; выходная емкость Coss: 120pF; емкость обратной передачи Crss: 99pF.
• Рассеиваемая мощность Pd: 3.2W (условия окружающей среды указаны в документации изделия).
• Рабочая температура: -55℃ ~ +150℃.
• Соответствие RoHS и требованиям к экологичным изделиям; гарантированный EAS; сертификация полной функциональной надежности.

Низкое RDS(on) снижает потери проводимости. Заряд затвора 15nC@10V способствует снижению потерь управления и повышению скорости переключения. При проектировании следует учитывать эффект Миллера и паразитную связь, вызванную dv/dt, для баланса скорости переключения и EMI.

Типичные применения: синхронные понижающие преобразователи (верхний ключ и синхронный выпрямитель), силовые модули высокой плотности, подсистемы управления питанием, промышленное управление и источники питания для связи.

Рекомендации по проектированию:
• Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение затвора 10V. При управлении от 5V следует проверить потери проводимости.
• Сократите пути возвратного тока истока и тока стока, увеличьте площадь меди и при необходимости используйте тепловые переходные отверстия.
• Для подавления звона и управления скоростью переключения можно использовать последовательный резистор затвора Rg и цепь RC; при проектировании зажима Миллера учитывайте Crss.
• При параллельном включении обеспечьте равномерное распределение тока и согласованное управление затворами.
• Для систем с мощными импульсными перенапряжениями или обратной рекуперацией проверьте допустимые импульсные режимы и способность поглощать энергию по полной документации изделия.

Для ответственных применений рекомендуется оценить полный отчет о надежности и условия применения. Электрические и тепловые характеристики следует сверять с официальной документацией изделия.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.