XNRUSEMI XR100N03Z

XR100N03Z — N-канальный MOSFET с траншейной структурой и высокой плотностью ячеек, предназначенный для синхронных понижающих преобразователей и эффективных систем управления питанием. Прибор сочетает низкое сопротивление в открытом состоянии с относительно небольшим зарядом затвора, что снижает потери проводимости и переключения при больших токах.

Основные электрические параметры: Vdss — 30 V; непрерывный ток стока Id — 100 A при соответствующем теплоотводе; RDS(on) — 10 mΩ при VGS = 4.5 V; Pd — 80 W; VGS(th) — 2.5 V; полный заряд затвора Qg — 45 nC при VGS = 10 V; входная ёмкость Ciss — 2.1 nF; ёмкость обратной передачи Crss — 282 pF; рабочая температура — -55 ℃ ~ +175 ℃; корпус — TO251-3L.

Низкое RDS(on) (10 mΩ при 4.5 V) уменьшает потери в силовом тракте. Прибор подходит для понижающих преобразователей 12V/5V/3.3V, серверных источников питания и систем с аккумуляторным питанием. Заряд затвора Qg = 45 nC при 10 V обеспечивает баланс энергопотребления драйвера и скорости переключения. При быстром переключении следует учитывать эффект Миллера, связанный с Crss = 282 pF, чтобы ограничить увеличение потерь в паузе между переключениями. Широкий диапазон рабочих температур и рассеиваемая мощность 80 W обеспечивают запас для работы в сложных условиях.

Корпус TO251-3L обеспечивает теплоотвод и надёжное паяное соединение. Для работы с большим током рекомендуется оптимизировать медные слои платы, использовать тепловые пути через многослойную PCB и при необходимости применять радиатор или принудительное воздушное охлаждение, поддерживая температуру перехода и мощность рассеяния в безопасных пределах.

Соответствует RoHS. Заявлены 100% проверка стойкости к лавинной энергии EAS и квалификация по функциональной надёжности.

XR100N03Z с параметрами 30V, 100A и 10 mΩ подходит для импульсных источников питания и преобразования мощности при низком и среднем напряжении и большом токе. При проектировании следует учитывать частоту переключения, схему управления затвором и тепловой режим.