XNRUSEMI XR80N02

XR80N02 — MOSFET с N-каналом и траншеевой структурой с высокой плотностью ячеек, корпус TO-252-3L.

Основные параметры:
• Напряжение сток–исток Vdss = 20V.
• Непрерывный ток стока Id = 80A.
• Сопротивление открытого канала RDS(on) = 3.7mΩ при Vgs = 4.5V.
• Рассеиваемая мощность Pd = 58W.
• Пороговое напряжение Vgs(th) ≈ 0.7V.
• Заряд затвора Qg = 32nC при 10V.
• Входная ёмкость Ciss = 2.5nF.
• Ёмкость обратной передачи Crss = 386pF.
• Рабочий диапазон температур: -55℃ ~ +150℃.
• Соответствие RoHS.

Низкое RDS(on) обеспечивает проводимость при логическом управлении 4.5V. Траншевая структура и высокая плотность ячеек снижают потери проводимости. Заряд затвора и ёмкости Ciss и Crss учитываются при проектировании высокочастотного переключения.

Типичные области применения: синхронные понижающие преобразователи с шинами 3.3V / 5V / 12V, источники питания серверного и телекоммуникационного оборудования, VRM, модули POL, распределение питания и высокотоковые ключи нагрузки.

При постоянном токе 80A потери проводимости составляют Pcond ≈ I^2·RDS(on) = 80^2·3.7mΩ ≈ 23.7W. Для отвода тепла требуются достаточная площадь меди на PCB, тепловая площадка или радиатор.

Мощность управления затвором: Pdrive ≈ Qg·Vdrive·f. При Vdrive=10V и f=500kHz значение Pdrive ≈ 32nC·10V·500kHz = 0.16W без учёта потерь переключения.

При проектировании рекомендуется использовать короткие широкие проводники стока и истока, отдельный обратный проводник заземления, размещать развязывающие элементы и резистор затвора рядом с драйвером. Для ограничения выбросов можно применить параллельную цепь RC или TVS.

Корпус TO-252-3L (DPAK) предназначен для поверхностного монтажа и отвода тепла через медные участки PCB.