XNRUSEMI XR120N02

XR120N02 — N-канальный траншейный MOSFET с высокой плотностью ячеек, предназначенный для синхронных понижающих преобразователей и импульсных источников питания с высоким током.

Основные параметры
Тип: N-канальный траншейный MOSFET
Напряжение сток–исток Vdss: 20 V
Непрерывный ток стока Id: 120 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 3.27 mΩ @ Vgs = 2.5 V
Пороговое напряжение Vgs(th): 1.0 V
Полный заряд затвора Qg: 70 nC @ Vgs = 4.5 V
Входная ёмкость Ciss: 5.67 nF
Ёмкость обратной передачи Crss: 416 pF
Рассеиваемая мощность Pd: 69 W
Рабочая температура: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: TO-252-3L (DPAK)
Производитель: XNRUSEMI

Особенности: низкое сопротивление открытого канала при Vgs = 2.5 V, заряд затвора 70 nC при 4.5 V, ёмкости Ciss и Crss для настройки коммутации, рабочий диапазон температур -55 ℃ ~ +150 ℃. Предназначен для эффективной работы при низком напряжении затвора и высоком токе.

Типовые применения: верхний или нижний ключ синхронного понижающего преобразователя; источники питания серверного и телекоммуникационного оборудования; системы с батарейным питанием; драйверы двигателей, модули DC-DC, зарядные устройства и узлы распределения мощности; промышленная и автомобильная электроника.

При проектировании учитывайте заряд затвора Qg = 70 nC и ёмкость Crss = 416 pF при выборе драйвера и настройке скорости переключения. Для снижения паразитного сопротивления и теплового сопротивления используйте короткие широкие силовые дорожки, медные плоскости и тепловые переходные отверстия. При параллельном включении обеспечьте равномерное распределение тока и синхронное управление затворами. Рассеиваемую мощность Pd = 69 W оценивайте с учётом теплового сопротивления корпуса и платы.

Корпус TO-252-3L (DPAK) предназначен для поверхностного монтажа. При пайке соблюдайте стандартный профиль оплавления и обеспечьте отвод тепла через контактную площадку и тепловые переходные отверстия. Соблюдайте правила защиты от электростатического разряда.