XNRUSEMI XR12N03M

XR12N03M — N-канальный MOSFET с высокой плотностью ячеек и траншейной структурой, предназначенный для маломощных ключевых схем и переключателей нагрузки.

Основные параметры:
Количество: 1 шт.
Напряжение сток–исток Vdss: 30 V
Непрерывный ток стока Id: 12 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 13 mΩ при Vgs=10 V
Рассеиваемая мощность Pd: 3 W
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5 V
Заряд затвора Qg: 16 nC при 10 V
Входная емкость Ciss: 614 pF; емкость обратной передачи Crss: 98 pF
Рабочая температура: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: DFN2020-6L

Особенности и области применения:
Низкое сопротивление открытого канала и компактный корпус подходят для низковольтных DC-DC-преобразователей, синхронных выпрямителей, переключателей нагрузки, маломощного управления двигателями постоянного тока, систем управления аккумуляторами и цепями питания мобильных устройств.

Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором 10 V. Значение Vgs(th)=2.5 V указывает, что это не MOSFET с полноценным логическим уровнем управления; при управлении от 5 V сопротивление открытого канала существенно возрастает. При высокочастотном переключении учитывайте быстродействие драйвера, потери на управление, паразитные емкости, длину токовых контуров и теплоотвод.

Корпус DFN2020-6L компактен, однако возможности отвода тепла ограничены. Pd=3 W — справочное значение для заданных условий; допустимый непрерывный ток зависит от теплоотвода на печатной плате, толщины меди и расположения переходных отверстий. Для снижения температуры перехода используйте медную заливку или тепловую площадку с переходными отверстиями к внутренним или нижним слоям платы.

При управлении напряжением 5 V или ниже проверьте потери проводимости и нагрев; при необходимости выберите MOSFET с логическим уровнем управления. Учитывайте частоту переключения, коэффициент заполнения и переходные нагрузки, включая импульсный ток и dv/dt; при необходимости применяйте защитные цепи, например диод Шоттки, TVS или RC-цепь.