XNRUSEMI XR120N03A

XR120N03A — N-канальный MOSFET с высокой плотностью ячеек и траншейной структурой. Номинальное напряжение сток–исток составляет 30V, непрерывный ток стока — 120A. Корпус TO252-3L (DPAK). Предусмотрено испытание на энергию одиночного лавинного импульса EAS для 100% изделий.

Основные параметры:
Vdss: 30V
Id (непрерывный): 120A
RDS(on): 4.5mΩ при Vgs = 4.5V
Pd: 88W
Vgs(th): 2.2V
Полный заряд затвора Qg: 72nC при 15V
Входная емкость Ciss: ≈4nF
Емкость обратной передачи Crss: ≈396pF
Рабочая температура: -55℃ ～ +150℃

При управлении напряжением 4.5V обеспечивается низкое сопротивление открытого канала. Траншейная структура сочетает низкое RDS(on) с характеристиками переключения. Для снижения потерь и нагрузки на управление учитывайте Qg=72nC и выбирайте драйвер затвора с достаточной нагрузочной способностью. Испытание EAS повышает устойчивость к переходным импульсным воздействиям.

Типовые области применения: силовые ключи синхронных понижающих преобразователей (synchronous buck), модули питания DC-DC, серверные и телекоммуникационные источники питания, приводы двигателей, распределение мощности и переключатели нагрузки, промышленная и автомобильная электроника.

Для снижения потерь переключения и EMI сокращайте паразитную индуктивность цепей затвора и силовых контуров; при необходимости добавьте демпфирующий резистор в цепь затвора. Увеличьте площадь меди и используйте тепловые переходные отверстия рядом с площадкой компонента. Учитывайте влияние Crss/Ciss на переходные процессы и при необходимости настройте мертвое время и форму сигнала управления.

Корпус TO252-3L (DPAK) предназначен для поверхностного монтажа и автоматизированной сборки, подходит для теплоотвода средней мощности. При работе на более высоком Vgs сопротивление RDS(on) может снизиться. Для повышенных токов или ограниченного теплоотвода можно соединить несколько компонентов параллельно с распределением тока и тепла.