XNRUSEMI XR20N03

XR20N03 — N-канальный MOSFET с траншейной структурой и высокой плотностью ячеек для синхронных понижающих преобразователей и других импульсных источников питания. Обеспечивает низкие потери проводимости и хорошие характеристики переключения.

Основные характеристики:
Один N-канальный MOSFET
Напряжение сток–исток Vdss = 30V
Непрерывный ток стока Id = 20A
Сопротивление открытого канала RDS(on) = 15mΩ (Vgs = 10V)
Рассеиваемая мощность Pd = 5.5W (корпус TO252-3L)
Рабочий температурный диапазон: -55℃ ~ +150℃
Заряд затвора Qg = 10nC (Vgs = 15V)
Входная ёмкость Ciss = 490pF
Ёмкость обратной передачи Crss = 61pF
Соответствует RoHS и экологическим требованиям к продукции. Заявлены стойкость к энергии лавинного пробоя и полные функциональные испытания надёжности.

Типовые применения: синхронное выпрямление, синхронные понижающие преобразователи (синхронный Buck), модули DC-DC, управление питанием, массивы силовых переключателей, электроприводы, зарядные устройства и системы распределения питания.

Корпус TO252-3L (аналогичный DPAK) предназначен для поверхностного монтажа и теплоотвода при средней мощности. Для теплового проектирования используйте медные площадки достаточной площади и тепловые переходные отверстия, сокращайте контур возвратного тока.

Рекомендуемое напряжение управления затвором — 10V; диапазон управления зависит от драйвера и требований системы. Crss указывает на эффект Миллера: при быстрых фронтах переключения подбирайте сопротивление затвора и драйвер, чтобы снизить звон и коммутационные нагрузки. Учитывайте баланс между потерями переключения и проводимости: низкий Qg снижает потери управления, а высокая плотность ячеек способствует снижению потерь проводимости.