XNRUSEMI XR3416L

XR3416L — N-канальный MOSFET с канавочной структурой и высокой плотностью ячеек в корпусе SOT23-3L, предназначенный для маломощных ключей и управления нагрузкой. Соответствует требованиям RoHS.

Основные параметры: Vdss — 20V; непрерывный ток стока Id — 6A; RDS(on) — 16.5mΩ при Vgs=4.5V; максимальная рассеиваемая мощность Pd — 900mW; Vgs(th) — 700mV; заряд затвора Qg — 8nC при 10V; входная емкость Ciss — 545pF; емкость обратной передачи Crss — 90pF; диапазон рабочих температур — -55℃…+150℃; уровень ESD — 2000V HBM.

Низкое RDS(on) обеспечивает эффективное переключение при логическом уровне управления 4.5V. Канавочная структура с высокой плотностью ячеек обеспечивает низкое сопротивление открытого канала. Значения заряда затвора и входной емкости обеспечивают баланс между затратами на управление и скоростью переключения. Компактный корпус SOT23-3L подходит для плат с высокой плотностью монтажа.

Типичные применения: ключи нагрузки и управление питанием, переключение выходов низковольтных DC-DC-преобразователей и отключение нагрузки; силовые ключи портативных устройств и систем с аккумуляторным питанием; низковольтное управление двигателями, замена реле и коммутация маломощных нагрузок.

Теплоотвод корпуса SOT23 ограничен. Для длительной работы с большим током увеличивают площадь меди платы или используют параллельное включение транзисторов. Короткие широкие дорожки от стока к нагрузке и источнику питания снижают паразитное сопротивление и тепловое сопротивление. Для соответствия указанному RDS(on) рекомендуется стабильное логическое управление 4.5V. При более высоком напряжении управления сопротивление открытого канала может снизиться, при этом возрастают Qg и потери в цепи управления. Соблюдайте меры защиты от электростатического разряда уровня HBM 2kV.

Корпус SOT23-3L подходит для автоматического монтажа и компактных конструкций.