XNRUSEMI XR15N10

XR15N10 — высокопроизводительный MOSFET с N-каналом и канавочной структурой для синхронных понижающих преобразователей и переключающих схем средней и малой мощности. Напряжение сток—исток Vdss = 100V, непрерывный ток стока Id = 15A, сопротивление открытого канала RDS(on) = 85mΩ при Vgs = 10V. Корпус TO252-3L (DPAK), предназначенный для поверхностного монтажа и отвода тепла.

Основные параметры: рассеиваемая мощность Pd = 30W (зависит от корпуса и условий теплоотвода); заряд затвора Qg = 18nC при 50V; входная ёмкость Ciss = 765pF; ёмкость обратной передачи Crss = 33pF; диапазон рабочих температур — -55℃ ~ +150℃. Устройство соответствует требованиям RoHS и требованиям к экологичной продукции; стойкость к лавинной энергии EAS гарантирована на 100%, предусмотрена функциональная квалификация надёжности.

Типовые применения: силовые ключи верхнего или нижнего плеча синхронных понижающих преобразователей, модули питания DC-DC и блоки управления питанием PMU, электронные нагрузки и импульсные источники питания SMPS, маломощные приводы двигателей, замена реле и коммутация нагрузки, устройства промышленного управления и связи.

Для отвода тепла рекомендуется предусмотреть большие медные области на слоях платы и тепловые переходные отверстия для передачи тепла к обратному слою. Можно разместить теплоотводящую площадку на меди рядом с MOSFET и соединить её с корпусным радиатором или основанием. Следует учитывать ограничение Pd и температуру окружающей среды; при необходимости применять внешний радиатор или принудительное воздушное охлаждение. Балансировка времени нарастания и спада управляющего сигнала помогает контролировать потери переключения и электромагнитные помехи EMI.

При напряжении управления затвором 10V устройство работает с низким RDS(on). При управлении от 5V следует оценить увеличение потерь проводимости и нагрев. В высокочастотных схемах необходимо учитывать влияние Qg и Ciss на мощность управления и потери переключения, а также подбирать драйвер с подходящей нагрузочной способностью. Для устойчивости к переходным процессам рекомендуется использовать подходящую цепь поглощения или демпфирования.