XNRUSEMI XR20N06

XR20N06 — транзистор N-канальный MOSFET с канавочной структурой и высокой плотностью ячеек

Номинальное напряжение сток–исток — 60V, непрерывный ток стока — 20A. Корпус TO252-3L. Устройство предназначено для применения в импульсных источниках питания, включая синхронные понижающие преобразователи.

Основные электрические параметры
Напряжение сток–исток Vdss: 60V.
Непрерывный ток стока Id: 20A.
Сопротивление открытого канала RDS(on): 32mΩ при Vgs=10V.
Рассеиваемая мощность Pd: 41.7W.
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5V.
Полный заряд затвора Qg: 22nC при Vgs=10V.
Входная ёмкость Ciss: 1.355nF.
Ёмкость обратной передачи Crss: 49pF.
Рабочая температура перехода: -55℃ ~ +175℃.

Канавочная структура с высокой плотностью ячеек обеспечивает низкое RDS(on). Заряд затвора 22nC и малая Crss подходят для применения на повышенных частотах переключения. Устройство прошло испытание на лавинную стойкость; заявлено соответствие требованиям RoHS.

Типовые применения: синхронные понижающие преобразователи, включая источники питания и модули питания для ноутбуков и средств связи; преобразователи DC-DC, ключи нагрузки и модули управления питанием; управление двигателями и силовые ключи со средним током; вспомогательные источники питания автомобильной электроники при соблюдении требований к температуре и сертификации.

Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение затвора 10V. При логическом управлении следует учитывать RDS(on) при меньшем Vgs и тепловой режим. Рассеиваемая мощность Pd=41.7W указана для идеальных условий охлаждения; фактическая температура перехода зависит от площади медных участков PCB, радиатора и теплоотвода. Корпус TO252-3L подходит для монтажа на PCB и отвода тепла.