XNRUSEMI XR100N04F

XR100N04F — обзор продукта

XR100N04F — мощный N-канальный MOSFET с траншейной структурой и высокой плотностью ячеек от XNRUSEMI, предназначенный для синхронных понижающих преобразователей и высокоэффективных импульсных источников питания. Устройство сочетает низкое сопротивление открытого канала с умеренным зарядом затвора.

Основные параметры и электрические характеристики:
Тип: N-канальный MOSFET
Напряжение сток-исток Vdss: 40 V
Непрерывный ток стока Id: 100 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 4.9 mΩ @ Vgs=10 V
Рассеиваемая мощность Pd: 142 W (зависит от условий теплоотвода)
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5 V (тип.)
Полный заряд затвора Qg: 15 nC @ Vgs=10 V
Входная емкость Ciss: 3.778 nF
Выходная емкость Coss: 267 pF
Емкость обратной передачи Crss: 224 pF
Рабочая температура: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: PDFN5060-8L

При напряжении 40 V низкое сопротивление открытого канала 4.9 mΩ@10 V подходит для высокоэффективного синхронного выпрямления при больших токах. Заряд затвора 15 nC обеспечивает баланс между быстродействием и мощностью управления. Возможные применения: синхронные понижающие преобразователи, источники питания серверов и телекоммуникационного оборудования, вспомогательные автомобильные источники питания, переключатели распределения питания и приводы электродвигателей.

Корпус PDFN5060-8L поддерживает компоновку печатной платы и теплоотвод. Для рассеивания мощности 142 W требуются эффективный тепловой путь и подходящая толщина меди; рекомендуется использовать большие участки медной заливки или тепловые площадки.

Рекомендации по проектированию:
Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется управление затвором напряжением 10 V. При напряжении 6–8 V следует оценить изменение потерь проводимости.
Параметры Qg=15 nC, Coss и Crss указывают на необходимость подобрать ток драйвера затвора и сопротивление затвора для контроля переходных процессов и электромагнитных помех при высокой частоте.
Для теплоотвода при больших токах используйте широкие медные проводники, многослойные тепловые переходные отверстия и тепловые площадки, чтобы снизить температуру перехода и корпуса.
Сократите путь возвратного тока силовой цепи, чтобы уменьшить паразитную индуктивность; расположите обходные конденсаторы так, чтобы снизить выбросы при переключении.

XR100N04F сочетает низкое сопротивление, высокую токовую нагрузочную способность и надежность, что делает его подходящим для импульсных источников питания и схем управления мощностью с высокими требованиями к эффективности.